details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Stralingsgeharde MOS-condensatoren 50V enkellaag 100 pF condensatorchip voor ruimtesatellietsystemen

Stralingsgeharde MOS-condensatoren 50V enkellaag 100 pF condensatorchip voor ruimtesatellietsystemen

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC101S50V100
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Trekkracht van draadverbindingen:
>6 gf (25 um Au-draad)
Bedrijfstemperatuur:
-55 C tot +125 C
Opslagtemperatuur:
-65ºC tot +150ºC
Chipafmetingen:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Aanpassingsmogelijkheden:
Capaciteit 10-1000 pF, tolerantie +/-5%, rechthoekige matrijs tot 4:1, omrande elektrode, zwevende a
Markeren:

MOS-condensatoren met een stralingsharding van 50 V

,

Eenlaag 100 pF condensatorchip

,

MOS-capacitoren voor ruimtesatellietsystemen

Productomschrijving

Stralingsbestendige MOS-condensator HACC101S50V100 — 100 pF 50 V Enkellaags Chip voor Ruimte- en Satelliettoepassingen

Productdefinitie: De HACC101S50V100 is een stralingsbestendige enkellaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator met een capaciteit van 100 pF ±10% en een nominale spanning van 50 V DC. Hij is gebouwd op silicium met een hoge weerstand (float-zone, >1000 Ω·cm) met een 300 nm thermische SiO2 diëlektricum en een TiW-Au boven / TiW-Pt-Au achterkant metallisatiesysteem, in een 0,50 × 0,50 × 0,15 mm draadbondbare chip. Hij is ontworpen voor RF- en analoge circuits in de ruimte, satellieten en andere stralingsgevoelige toepassingen die ook lage fase-ruis en nauwkeurige simulatiemodellen vereisen.


In één oogopslag

  • Capaciteit: 100 pF ±10% (±5% tolerantie beschikbaar)
  • Nominale DC-spanning: 50 V
  • Totale ioniserende dosis: >100 krad(Si), ESCC 22900 teststandaard
  • Intrinsieke chip ESL: <0,05 nH
  • Diëlektricum: thermische SiO2, 300 nm, amorf (geen piëzo-elektrische respons)
  • Chipafmetingen: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, draadbondbaar / eutectische die attach


Specificaties (T = 25 °C tenzij anders vermeld)

Parameter Waarde Conditie
Capaciteit 100 pF ±10% (±5% beschikbaar) 1 MHz, 1,0 Vrms
Nominale DC-spanning 50 V Continu
Diëlektrische doorslagspanning >125 V DC (250% nominaal) 1 min, 25 °C
Diëlektrisch type Thermische SiO2, 300 nm, amorf —
Substraat Float-zone Si, >1000 Ω·cm —
Intrinsieke chip ESL <0,05 nH De-embedded
Q-factor >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz Typisch
ESR @ 1 GHz <0,1 Ω Typisch
Dissipatiefactor ≤2,5% @ 1 MHz 1,0 Vrms
Isolatieweerstand ≥104 MΩ Bij nominale spanning
TCC 0 ±30 ppm/°C −55 °C tot +125 °C
Lekkage stroom <10 nA @ 25 °C> Bij 50 V DC
ESD Klasse Klasse 0 HBM (JESD22-A114) —
Vochtgevoeligheid MSL 1 (J-STD-020, onbeperkte vloerlevensduur) —
TID Hardheid >100 krad(Si) ESCC 22900
SEE Immuniteit Geen latch-up pad, geen SEU-gevoelig knooppunt —
Bedrijfstemperatuur −55 °C tot +125 °C —
Opslagtemperatuur −65 °C tot +150 °C —
Bovenste metallisatie TiW-Au, ≥2,5 µm Au —
Achterkant metallisatie TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (Pt-barrière) —
Montagetype Draadbondbaar / AuSn eutectische of geleidende epoxy die attach —
Draadbondtreksterkte >6 gf (25 µm Au-draad) —
Chipafmetingen 0,50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil) —
RoHS Conform (EU 2015/863) —


Typische toepassingen

  • Satelliet transponder, TT&C en payload DC-blokkerende / bypass-netwerken
  • Ruimtevaartuig oscillator (VCO) tankcircuits en PLL lusfilters
  • Phased-array module bias ontkoppeling in stralingsomgevingen
  • Low-phase-noise synthesizer en referentieketens
  • Aerospace en high-reliability RF front-ends die gevalideerde simulatiemodellen vereisen


Stralingsgeharde MOS-condensatoren 50V enkellaag 100 pF condensatorchip voor ruimtesatellietsystemen