HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HACC101S50V100 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
تعریف محصول:HACC101S50V100 یک خازن تک لایه ی نیمه هادی اکسید فلزی (MOS) با ظرفیت 100 pF ±10٪ و درجه بندی 50 V DC است.این بر روی سیلیکون منطقه شناور با مقاومت بالا (> 1000 Ω · cm) با SiO حرارتی 300 nm ساخته شده است2دی الکتریک و یک سیستم متالیزاسیون بالای TiW-Au / TiW-Pt-Au ، در یک تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متری که می تواند به سیم متصل شود.و سایر مدارهای رادیواکتیو و آنالوگ در معرض تابش که همچنین نیاز به نویز پایین فاز و مدل های شبیه سازی دقیق دارند.
| پارامتر | ارزش | شرایط |
| ظرفیت | 100 pF ± 10% (± 5% در دسترس) | 1 مگاهرتز، 1.0 ورمیس |
| ولتاژ نامی DC | 50 ولت | مستمر |
| ولتاژ مقاومت دی الکتریک | > 125 ولت DC (250٪ نامگذاری شده) | 1 دقیقه، 25 درجه سانتیگراد |
| نوع دی الکتریک | SiO حرارتی2، 300 نانومتر، آمورف | ️ |
| زیربنای | منطقه شناور Si، >1000 Ω·cm | ️ |
| تراشه داخلی ESL | <0.05 nH | از داخل جدا شده |
| فاکتور Q | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | نمادین |
| ESR @ 1GHz | <0.1 Ω | نمادین |
| فاکتور تبعید | ≤2.5% @ 1MHz | 1.0 Vrms |
| مقاومت عایق | ≥104MΩ | در ولتاژ نامی |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55 °C تا +125 °C |
| جریان نشت | <10 nA @ 25 °C / <100 nA @ 125 °C | در 50 ولت DC |
| کلاس ESD | کلاس 0 HBM (JESD22-A114) | ️ |
| حساسیت به رطوبت | MSL 1 (J-STD-020، عمر کف نامحدودی) | ️ |
| سختی TID | >100 کراد ((Si) | ESCC 22900 |
| مصونیت SEE | هیچ مسیر قفل نشده، هیچ گره حساس به SEU | ️ |
| دمای کار | -55 °C تا +125 °C | ️ |
| دمای ذخیره سازی | -65 °C تا +150 °C | ️ |
| فلز سازی بالا | TiW-Au، ≥2.5 μm Au | ️ |
| فلز سازی پشت | TiW-Pt-Au، ≥1.0 μm Au (حاجز Pt) | ️ |
| نوع نصب | سیم بسته / AuSn Eutectic یا Epoxy هدایت کننده | ️ |
| قدرت کشش باند سیم | >6 gf (25 μm سیم Au) | ️ |
| ابعاد تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر (20 × 20 × 6 میلی متر) | ️ |
| RoHS | مطابقت (EU 2015/863) | ️ |
