HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC101S50V100 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T |
تعريف المنتج:HACC101S50V100 هو مكثف معدني-أكسيد-شبه موصل (MOS) مقاوم للإشعاع بطبقة واحدة بسعة 100 بيكوفاراد ±10% وتصنيف جهد مستمر 50 فولت. تم بناؤه على سيليكون منطقة عائمة عالية المقاومة (>1000 أوم·سم) مع عازل SiO حراري بسمك 300 نانومتر2 ونظام معدني علوي TiW-Au / خلفي TiW-Pt-Au، في شريحة قابلة للربط بسلك بأبعاد 0.50 × 0.50 × 0.15 مم. تم تصميمه للدوائر اللاسلكية والتناظرية الفضائية والساتلية المعرضة للإشعاع والتي تتطلب أيضًا ضوضاء طور منخفضة ونماذج محاكاة دقيقة.
| المعلمة | القيمة | الشرط |
| السعة | 100 بيكوفاراد ±10% (±5% متوفرة) | 1 ميجاهرتز، 1.0 فولت فعال |
| الجهد المستمر المقنن | 50 فولت | مستمر |
| جهد تحمل العازل | >125 فولت مستمر (250% مقنن) | 1 دقيقة، 25 درجة مئوية |
| نوع العازل | SiO حراري2، 300 نانومتر، غير متبلور | — |
| الركيزة | سيليكون منطقة عائمة، >1000 أوم·سم | — |
| حث ذاتي للشريحة | <0.05 نانوهنري | تم إزالة التأثير |
| عامل الجودة | >2000 @ 1 ميجاهرتز / >300 @ 1 جيجاهرتز | نموذجي |
| مقاومة مكافئة عند 1 جيجاهرتز | <0.1 أوم | نموذجي |
| عامل التبديد | ≤2.5% @ 1 ميجاهرتز | 1.0 فولت فعال |
| مقاومة العزل | ≥104 ميجا أوم | عند الجهد المقنن |
| معامل درجة حرارة السعة | 0 ±30 جزء في المليون/درجة مئوية | −55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية |
| تيار التسرب | <10 nA @ 25 °C> | عند 50 فولت مستمر |
| فئة ESD | فئة 0 HBM (JESD22-A114) | — |
| حساسية الرطوبة | MSL 1 (J-STD-020، عمر أرضي غير محدود) | — |
| مقاومة TID | >100 كرراد (سيليكون) | ESCC 22900 |
| حصانة SEE | لا يوجد مسار قفل، لا توجد عقدة حساسة لـ SEU | — |
| درجة حرارة التشغيل | −55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية | — |
| درجة حرارة التخزين | −65 درجة مئوية إلى +150 درجة مئوية | — |
| الطلاء المعدني العلوي | TiW-Au، ≥2.5 ميكرومتر Au | — |
| الطلاء المعدني الخلفي | TiW-Pt-Au، ≥1.0 ميكرومتر Au (حاجز Pt) | — |
| نوع التركيب | قابل للربط بالسلك / لصق شريحة يوتكتيكي AuSn أو إيبوكسي موصل | — |
| قوة سحب سلك الربط | >6 gf (سلك Au 25 ميكرومتر) | — |
| أبعاد الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 مم (20 × 20 × 6 ميل) | — |
| RoHS | متوافق (الاتحاد الأوروبي 2015/863) | — |
