Ürün ayrıntıları

Evde Ürünler

Radyasyon sertleştirilmiş MOS Kondensatörleri 50V Tek katmanlı 100 pF Kondensatör Çip Uzay Uydu Sistemleri için

Name: Radyasyon sertleştirilmiş MOS Kondensatörleri 50V Tek katmanlı 100 pF Kondensatör Çip Uzay Uydu Sistemleri için
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC101S50V100
Price: Pazarlık edilebilir USD
Availability: InStock

Marka Adı:	Hoan
Model Numarası:	HACC101S50V100
Adedi:	10 Adet
Ödeme Koşulları:	L/C,D/A,D/P,T/T

Detay Bilgisi

Ürün Tanımı

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Şaanksi, Çin

Sertifika:

ISO 9001:2015, RoHS

Tel Bağ Çekme Dayanımı:

>6 gf (25 um Au tel)

Çalışma Sıcaklığı:

-55 C ila +125 C

Depolama Sıcaklığı:

-65 C ila +150 C

Çip Boyutları:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm (20 x 20 x 6 mil)

RoHS:

Uyumlu (AB 2015/863)

Özelleştirme seçenekleri:

Kapasitans 10-1000 pF, tolerans +/-%5, 4:1'e kadar dikdörtgen kalıp, kenarlı elektrot, yüzer ark

Vurgulamak:

Radyasyon sertleştirilmiş MOS Kondansatörleri 50V

Tek katmanlı 100 pF Kondensatör Çip

Uzay uydu sistemleri için MOS kondansatörleri

Ürün Tanımı

Radyasyonla sertleştirilmiş MOS Kondensatörü HACC101S50V100 100 pF 50 V Uzay ve uydu sistemleri için tek katmanlı çip

Ürün tanımı:HACC101S50V100, 100 pF ± 10% kapasitans ve 50 V DC derecelendirmesi ile radyasyon sertleştirilmiş tek katmanlı metal oksit yarı iletken (MOS) kondansatördür.Yüksek dirençli yüzen bölge silikon (> 1000 Ω · cm) üzerinde 300 nm termal SiO ile inşa edilmiştir.₂Dielektrik ve bir TiW-Au üst / TiW-Pt-Au arka taraf metallizasyon sistemi, 0,50 × 0,50 × 0,15 mm telleri bağlayabilen bir çipte.ve aynı zamanda düşük faz gürültüsü ve doğru simülasyon modelleri gerektiren diğer radyasyona maruz RF ve analog devreler.

Bir Bakışta

Kapasitans: 100 pF ±10% (% 5 tolerans mevcut)
Adlık DC voltajı: 50 V
Toplam iyonlaştırıcı doz: >100 krad ((Si), ESCC 22900 test standardı
İç çip ESL: <0.05 nH
Dielektrik: termal SiO₂, 300 nm, amorf (piezoelektrik yanıt yok)
Çip boyutu: 0,50 × 0,50 × 0,15 mm, tel bağlanabilir / eutetik ölçekli takmak

Özellikler (T = 25 °C, belirtilmedikçe)

Parametreler	Değer	Durum
Kapasite	100 pF ±10% (±5% kullanılabilir)	1 MHz, 1.0 Vrms
Dönüştürülmemiş DC Voltajı	50 V	Devamlı
Dielektrik Dayanıklı Voltaj	> 125 V DC (250% nominal)	1 dakika, 25 °C
Dielektrik Tipi	Termal SiO₂, 300 nm, amorf	- Evet.
Substrat	Yüzen bölge Si, >1000 Ω·cm	- Evet.
İçsel Çip ESL	<0,05 nH	Yerleştirilmemiş
Q faktörü	>2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz	Tipik
ESR @ 1 GHz	<0,1 Ω	Tipik
Çözüm faktörü	≤2,5% @ 1 MHz	1.0 Vrms
İzolasyon Direnci	≥ 10⁴MΩ	İsimlendirilmiş voltajda
TCC	0 ± 30 ppm/°C	−55 °C - +125 °C
Sızıntı akımı	<10 nA @ 25 °C / <100 nA @ 125 °C	50 V DC'de
ESD sınıfı	Sınıf 0 HBM (JESD22-A114)	- Evet.
Nem Duyarlılığı	MSL 1 (J-STD-020, sınırsız taban ömrü)	- Evet.
TID Sertliği	>100 krad ((Si)	ESCC 22900
SEE dokunulmazlığı	Kilitleme yolu yok, SEU'ye duyarlı bir düğüm yok	- Evet.
Çalışma sıcaklığı	−55 °C - +125 °C	- Evet.
Depolama sıcaklığı	−65 °C - +150 °C	- Evet.
Üst Metalleşme	TiW-Au, ≥2,5 μm Au	- Evet.
Arka tarafta metalleşme	TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (Pt bariyeri)	- Evet.
Montaj Tipi	Kablo bağlanabilir / AuSn eutektik veya iletken epoksit döşeme yapıştır	- Evet.
Kablo Bağlantısı Çekim Gücü	> 6 gf (25 μm Au tel)	- Evet.
Çip Boyutları	0.50 × 0,50 × 0,15 mm (20 × 20 × 6 mil)	- Evet.
RoHS	Compliant (EU 2015/863)	- Evet.

Tipik Uygulamalar

Uydu transponderi, TT&C ve yararlı yük DC engelleme / atlama ağları
Uzay aracı osilatörü (VCO) tank devreleri ve PLL döngü filtreleri
Fazlı dizi modülü yanılımı, radyasyon ortamlarında ayrıştırılır
Düşük faz gürültülü sentezleyiciler ve referans zincirleri
Geçerli simülasyon modelleri gerektiren havacılık ve yüksek güvenilirlik RF ön uçlar

Radyasyon sertleştirilmiş MOS Kondensatörleri 50V Tek katmanlı 100 pF Kondensatör Çip Uzay Uydu Sistemleri için

Etiketler:

Konik İndüktör

Geniş bant indüktörleri

Hava çekirdekli indüktör

hava bobini indüktörü

MOS Kapasitörler