विकिरण-कठोर एमओएस संधारित्र 50 वी एकल परत 100 पीएफ संधारित्र चिप अंतरिक्ष उपग्रह प्रणालियों के लिए

विकिरण-कठोर MOS कैपेसिटर HACC101S50V100 — 100 pF 50 V सिंगल लेयर चिप अंतरिक्ष और उपग्रह प्रणालियों के लिए

उत्पाद परिभाषा: HACC101S50V100 एक विकिरण-कठोर सिंगल-लेयर मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (MOS) कैपेसिटर है जिसमें 100 pF ±10% कैपेसिटेंस और 50 V DC रेटिंग है। यह उच्च-प्रतिरोधकता फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन (>1000 Ω·cm) पर 300 nm थर्मल SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक और TiW-Au टॉप / TiW-Pt-Au बैकसाइड मेटलाइजेशन सिस्टम के साथ बनाया गया है, जो 0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी वायर-बॉन्डेबल चिप में है। इसे अंतरिक्ष, उपग्रह और अन्य विकिरण-उजागर RF और एनालॉग सर्किट के लिए डिज़ाइन किया गया है जिन्हें कम चरण शोर और सटीक सिमुलेशन मॉडल की भी आवश्यकता होती है।

एक नज़र में

• कैपेसिटेंस: 100 pF ±10% (±5% टॉलरेंस उपलब्ध)
• रेटेड डीसी वोल्टेज: 50 V
• कुल आयनकारी खुराक: >100 krad(Si), ESCC 22900 परीक्षण मानक
• आंतरिक चिप ESL: <0.05 nH
• डाइइलेक्ट्रिक: थर्मल SiO₂, 300 nm, अनाकार (कोई पीजोइलेक्ट्रिक प्रतिक्रिया नहीं)
• चिप आकार: 0.50 × 0.50 × 0.15 mm, वायर-बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच

विनिर्देश (T = 25 °C जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो)

विशिष्ट अनुप्रयोग

• सैटेलाइट ट्रांसपोंडर, TT&C और पेलोड डीसी-ब्लॉकिंग / बाईपास नेटवर्क
• अंतरिक्ष यान ऑसिलेटर (VCO) टैंक सर्किट और पीएलएल लूप फिल्टर
• विकिरण वातावरण में फेस्ड-एरे मॉड्यूल बायस डिकपलिंग
• लो-फेज-नॉइज़ सिंथेसाइज़र और रेफरेंस चेन
• एयरोस्पेस और हाई-रिलायबिलिटी RF फ्रंट-एंड जिन्हें मान्य सिमुलेशन मॉडल की आवश्यकता होती है