HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC471S30V500 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | L/C、D/A、D/P、T/T |
組織概要HACC471S30V500は,ホアンHACCシリーズの単層金属酸化半導体 (MOS) コンデンサである.高抵抗性浮気ゾーンシリコン基板に高K酸化ダイレクトリックフィルムで製造され,0の電圧で30VDCの作業電圧で470pFを提供します..50mm × 0.50mm × 0.15mmチップ.高自 rezonant周波数とともに高容量密度を必要とするRFおよびマイクロ波回路用に設計されている.
| パラメータ | 価値 | 条件 |
| 容量 | 470pF ±10% (±5%利用可能) | 1MHz 1.0Vrms |
| 定数直流電圧 | 30V | 連続運転 |
| ダイレクトリック 抵抗電圧 | >100V DC | 1分 25°C |
| 容量密度 | 約940nF/mm2 | 典型的な |
| 自動共鳴周波数 | >25GHz | 短編線 |
| 内在チップESL | <0.05nH | De-embedded from S-parameters (S-パラメーターから埋め込まれた) |
| 消耗因子 | ≤2.5% | 1kHz,1Vrms |
| Qファクター @ 1MHz | >2000年 | 典型的な |
| Qファクター @ 1GHz | >300 | 典型的な |
| 断熱抵抗 | ≥1×104MΩ | 定位電圧 DC で |
| 流出電流 | <10nA | 30V DC 25°C |
| TCCについて | +35ppm/°C | -55°Cから+125°C |
| ダイレクトリック | 高K熱酸化物 | 密度が高く,孔隙が少ない |
| 基板 | 浮気ゾーンSi, > 1000Ω·cm | ほら |
| チップの寸法 | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | ±0.025mm |
| トップ金属化 | TiW (100nm) + Au (≥2.5μm) | ワイヤーボンド向け |
| 裏側金属化 | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0μm | Ptバリア Ag-エポキシ対応 |
| 動作温度 | -55°Cから+125°C | ほら |
| 貯蔵温度 | -65°Cから+150°C | ほら |
| RoHS | 適合している | EU 2015/863 について |
