Capacitori MOS dielettrici ad alta densità di ossido di K 30V 470pF chip a singolo strato SRF elevato per front end 5G RF

Capacitore MOS dielettrico ad alto tenore di ossido di K HACC471S30V500 470pF 30V Single Layer Chip per 5G RF Front End

Riassunto dell'entità.L'HACC471S30V500 è un condensatore a metallo-ossido-semiconduttore (MOS) a strato singolo della serie Hoan HACC.E' fabbricato su un substrato di silicio a zona galleggiante ad alta resistività con un film dielettrico ad alto tenore di ossido di K e fornisce 470 pF a una tensione di lavoro di 30 V di corrente continua in una temperatura di 0 °C..50mm × 0.50mm × 0.15mm chip. È destinato a circuiti RF e a microonde che richiedono una elevata densità di capacità insieme a un'alta frequenza di auto-risonanza.

Caratteristiche chiave

• 470pF ±10% a 30V DC in un chip da 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Dielettrico ad alto tenore di ossido di carbonio con una densità di capacità di circa 940 nF/mm2
• L'ESL del chip intrinseco inferiore a 0,05nH; frequenza di auto-risonanza superiore a 25 GHz con un filo a legame corto
• Percorso di corrente verticale singolo non c'è stack di elettrodi interni, quindi non c'è induttanza additiva della piastra
• Metalizzazione superiore di TiW-Au (≥ 2,5 μm Au); retro di TiW-Pt-Au per l'epossidica conduttiva e l'attaccatura a stampo AuSn
• Temperatura di funzionamento da -55°C a +125°C; conforme alla direttiva RoHS (UE 2015/863)

Specifiche elettriche (T = 25°C, salvo indicazione)

Applicazioni tipiche

• Reti di abbinamento dei moduli front-end 5G sub-6GHz e mmWave RF
• Iniezione di bias dell'amplificatore di potenza e blocco di corrente continua fino alla banda X-Ku
• Bypass di alimentazione a banda larga superiore a 1 GHz in cui l'auto-risonanza MLCC limita le prestazioni
• Disaggregazione a livello di striscio del fased-array beamformer e del modulo T/R
• Strumentazione di prova e di misurazione, calibrazione VNA e reti di schede sonda