HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC471S30V500 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी |
संस्था का सारांशHACC471S30V500 एक एकल परत धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (MOS) होन HACC श्रृंखला में एक संधारित्र है।यह उच्च प्रतिरोधता फ्लोट-जोन सिलिकॉन सब्सट्रेट पर उच्च-K ऑक्साइड डाइलेक्ट्रिक फिल्म के साथ निर्मित है और 0 में 30V DC कार्य वोल्टेज पर 470pF प्रदान करता है.50 मिमी × 0.50 मिमी × 0.15 मिमी चिप. यह आरएफ और माइक्रोवेव सर्किट के लिए अभिप्रेत है जिसके लिए एक उच्च स्व-प्रतिध्वनित आवृत्ति के साथ उच्च क्षमता घनत्व की आवश्यकता होती है।
| पैरामीटर | मूल्य | स्थिति |
| क्षमता | 470pF ±10% (±5% उपलब्ध) | 1MHz, 1.0Vrms |
| नामित डीसी वोल्टेज | 30V | निरंतर संचालन |
| डायलेक्ट्रिक प्रतिरोधक वोल्टेज | >100 वी डीसी | 1 मिनट, 25°C |
| क्षमता घनत्व | लगभग 940nF/mm2 | विशिष्ट |
| स्व-प्रतिध्वनित आवृत्ति | >25GHz | लघु बंधन तार |
| आंतरिक चिप ईएसएल | <0.05nH | एस-पैरामीटर से विस्थापित |
| विसर्जन कारक | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Q कारक @ 1MHz | >2000 | विशिष्ट |
| Q कारक @ 1GHz | >300 | विशिष्ट |
| इन्सुलेशन प्रतिरोध | ≥1×104MΩ | नामित वोल्टेज DC पर |
| रिसाव वर्तमान | <10nA | 30V DC, 25°C |
| टीसीसी | +35 पीपीएम/°C | -55°C से +125°C |
| डायलेक्ट्रिक | उच्च-के ताप ऑक्साइड | घना, कम छिद्र |
| सब्सट्रेट | फ्लोटिंग-ज़ोन Si, >1000Ω·cm | 🙏 |
| चिप आयाम | 0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी | ±0.025 मिमी |
| शीर्ष धातुकरण | TiW (100nm) + Au (≥2.5μm) | तार-बंधन उन्मुख |
| बैकसाइड मेटालाइजेशन | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0μm | पीटी बाधा, Ag-इपॉक्सी संगत |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55°C से +125°C | 🙏 |
| भंडारण तापमान | -65°C से +150°C | 🙏 |
| RoHS | अनुरूप | ईयू 2015/863 |
