Υψηλής πυκνότητας οξείδιο-Κ Dielectric MOS Condensers 30V Υψηλής πυκνότητας 470pF Single layer chip High SRF για 5G RF Front Ends

Πυκνοοξειδικός Πυκνωτής MOS Υψηλής-Κ HACC471S30V500 — 470pF 30V Μονοστρωματικό Τσιπ για 5G RF Front Ends

Σύνοψη Οντότητας. Το HACC471S30V500 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού (MOS) της σειράς Hoan HACC. Κατασκευάζεται σε υπόστρωμα πυριτίου float-zone υψηλής αντίστασης με φιλμ διηλεκτρικού οξειδίου υψηλής-Κ και παρέχει 470pF σε τάση λειτουργίας DC 30V σε τσιπ 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm. Προορίζεται για κυκλώματα RF και μικροκυμάτων που απαιτούν υψηλή πυκνότητα χωρητικότητας μαζί με υψηλή αυτοσυντονιζόμενη συχνότητα.

Βασικά Χαρακτηριστικά

• 470pF ±10% στα 30V DC σε τσιπ 0.50 × 0.50 × 0.15mm
• Διηλεκτρικό οξειδίου υψηλής-Κ με πυκνότητα χωρητικότητας περίπου 940nF/mm²
• Εγγενές ESL τσιπ κάτω από 0.05nH; αυτοσυντονιζόμενη συχνότητα πάνω από 25GHz με κοντό καλώδιο σύνδεσης
• Μονοκατευθυντική διαδρομή ρεύματος — χωρίς εσωτερική στοίβα ηλεκτροδίων, άρα χωρίς πρόσθετη αυτεπαγωγή πλάκας
• Επιμετάλλωση κορυφής TiW-Au (≥2.5µm Au); πίσω όψη TiW-Pt-Au για αγώγιμη εποξική κόλλα και σύνδεση τσιπ AuSn
• Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C έως +125°C; συμβατό με RoHS (ΕΕ 2015/863)

Ηλεκτρικές Προδιαγραφές (T = 25°C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές Εφαρμογές

• Δίκτυα αντιστοίχισης μονάδων RF front-end 5G sub-6GHz και mmWave
• Έγχυση πόλωσης ενισχυτή ισχύος και μπλοκάρισμα DC έως τη ζώνη X-Ku
• Ευρυζωνική παράκαμψη τροφοδοσίας πάνω από 1GHz όπου η αυτοσυντονιζόμενη συχνότητα MLCC περιορίζει την απόδοση
• Αποσύζευξη σε επίπεδο τσιπ για beamformer συστοιχίας φάσης και μονάδες T/R
• Όργανα δοκιμών και μέτρησης, βαθμονόμηση VNA και δίκτυα καρτών ανιχνευτών