K

Kondensator MOS z dielektrykiem tlenkowym o wysokiej stałej dielektrycznej HACC471S30V500 — 470pF 30V Jednowarstwowy chip do przedwzmacniaczy radiowych 5G

Podsumowanie jednostki. HACC471S30V500 to jednowarstwowy kondensator metal-polprzewodnik-tlenek (MOS) z serii Hoan HACC. Jest wykonany na podłożu krzemowym typu float-zone o wysokiej rezystywności z warstwą dielektryka tlenkowego o wysokiej stałej dielektrycznej i zapewnia 470pF przy napięciu roboczym DC 30V w chipie o wymiarach 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Jest przeznaczony do obwodów RF i mikrofalowych wymagających wysokiej gęstości pojemności wraz z wysoką częstotliwością samo-rezonansową.

Kluczowe cechy

• 470pF ±10% przy 30V DC w chipie 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Dielektryk tlenkowy o wysokiej stałej dielektrycznej o gęstości pojemności około 940nF/mm²
• Wewnętrzna indukcyjność szeregowa chipa poniżej 0,05nH; częstotliwość samo-rezonansowa powyżej 25GHz przy krótkim drucie łączącym
• Pojedyncza pionowa ścieżka prądu — brak wewnętrznego stosu elektrod, więc brak dodatkowej indukcyjności płytek
• Górna metalizacja TiW-Au (≥2,5µm Au); spód TiW-Pt-Au do klejenia przewodzącego epoksydem i AuSn
• Temperatura pracy od -55°C do +125°C; zgodność z RoHS (UE 2015/863)

Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że zaznaczono inaczej)

Typowe zastosowania

• Sieci dopasowujące modułów RF front-end 5G sub-6GHz i mmWave
• Wstrzykiwanie polaryzacji wzmacniacza mocy i blokowanie DC do pasma X-Ku
• Szerokopasmowe obejście zasilania powyżej 1GHz, gdzie samo-rezonans MLCC ogranicza wydajność
• Odwzajemnianie sygnału w formowaniu wiązki fazowej i modułach T/R na poziomie chipa
• Przyrządy pomiarowe i testowe, kalibracja VNA i sieci kart sondowych