Capacitores MOS Dielétricos de Óxido High-K 30V Alta Densidade 470pF Camada Única Chip Alta SRF para Front Ends RF 5G

Capacitor MOS dielétrico de óxido de alta-K HACC471S30V500 Chip de camada única de 470pF 30V para terminais frontais de RF 5G

Resumo da entidade.O HACC471S30V500 é um condensador de metal-óxido-semicondutor (MOS) de uma única camada da série Hoan HACC.É fabricado num substrato de silício de zona flutuante de alta resistividade com um filme dielétrico de óxido de K elevado e fornece 470 pF a uma tensão de trabalho de 30 V CC num ambiente de 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm chip. É destinado a circuitos de RF e microondas que exigem alta densidade de capacitância juntamente com uma alta freqüência de auto-resonância.

Características fundamentais

• 470pF ± 10% a 30 V DC num chip de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Dieléctrico de óxido de carbono com uma densidade de capacitância de cerca de 940 nF/mm2
• ESL de chip intrínseco inferior a 0,05 nH; freqüência de auto-resonância superior a 25 GHz com um fio de ligação curto
• Caminho de corrente vertical único
• Metalização superior do TiW-Au (≥ 2,5 μm Au); parte posterior do TiW-Pt-Au para a fixação de epoxi condutiva e AuSn
• Temperatura de funcionamento de -55°C a +125°C; em conformidade com a RoHS (UE 2015/863)

Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação)

Aplicações típicas

• Redes de correspondência de módulos front-end de RF 5G sub-6GHz e mmWave
• Injecção de distorção do amplificador de potência e bloqueio de CC até a faixa X-Ku
• Desvio de alimentação de banda larga superior a 1 GHz, quando a auto-resonância MLCC limita o desempenho
• Desacoplagem do nível do feixe de formação em matriz de fase e do módulo T/R
• Instrumentação de ensaio e medição, calibração VNA e redes de cartões de sonda