HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC471S30V500 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
엔티티 요약HACC471S30V500는 호안 HACC 시리즈의 단일 계층 금속 산화물 반도체 (MOS) 콘덴시터이다.그것은 고 저항성 float-zone 실리콘 기판과 고-K 산화물 다이 일렉트릭 필름에 제조되고 0에서 30V DC 작업 전압에서 470pF를 제공합니다..50mm × 0.50mm × 0.15mm 칩. 높은 자기 공명 주파수와 함께 높은 용량 밀도를 필요로하는 RF 및 마이크로 웨브 회로에 사용됩니다.
| 매개 변수 | 가치 | 조건 |
| 용량 | 470pF ±10% (±5% 사용 가능) | 1MHz, 1.0Vrms |
| 정류압 등급 | 30V | 연속 작동 |
| 다이 일렉트릭 저항 전압 | 100V 이상 DC | 1분, 25°C |
| 용량 밀도 | 약 940nF/mm2 | 전형적 |
| 자기 공명 주파수 | > 25GHz | 짧은 결합 유선 |
| 내부 칩 ESL | <0.05nH | S-패라미터에서 분리 |
| 분산 요인 | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Q 요인 @ 1MHz | >2000년 | 전형적 |
| Q 계수 @ 1GHz | >300 | 전형적 |
| 단열 저항 | ≥1×104MΩ | 가등전압 DC에서 |
| 누출 전류 | < 10nA | 30V DC, 25°C |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C ~ +125°C |
| 다이렉트릭 | 고-K 열산화물 | 밀도가 높고 뚫림성이 낮다 |
| 기판 | 떠있는 구역 Si, > 1000Ω·cm | ∙ |
| 칩 크기 | 00.50 × 0.50 × 0.15mm | ±0.025mm |
| 최고 금속화 | TiW (100nm) + Au (≥2.5μm) | 유선형 |
| 뒷면 금속화 | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0μm | Pt 장벽, Ag-epoxy 호환 |
| 작동 온도 | -55°C ~ +125°C | ∙ |
| 저장 온도 | -65°C ~ +150°C | ∙ |
| RoHS | 준수 | EU 2015/863 |
