HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ব্র্যান্ডের নাম: | Hoan |
| মডেল নম্বর: | HACC471S30V500 |
| MOQ: | 10 টুকরা |
| পেমেন্ট শর্তাবলী: | এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি |
সত্তা সংক্ষিপ্ত বিবরণ।এইচএসিসি 471 এস 30 ভি 500 হ'ল হোয়ান এইচএসিসি সিরিজের একক স্তরযুক্ত ধাতব-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী (এমওএস) ক্যাপাসিটর।এটি একটি উচ্চ-কে-অক্সাইড ডাইলেক্ট্রিক ফিল্ম সহ একটি উচ্চ প্রতিরোধের ফ্ল্যাট-জোন সিলিকন সাবস্ট্র্যাটে তৈরি করা হয় এবং একটি 0 ডিসি ওয়ার্কিং ভোল্টেজে 470 পিএফ সরবরাহ করে.50 মিমি × 0.50 মিমি × 0.15 মিমি চিপ। এটি আরএফ এবং মাইক্রোওয়েভ সার্কিটগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যা একটি উচ্চ স্ব-প্রতিক্রিয়াশীল ফ্রিকোয়েন্সির সাথে উচ্চ ক্যাপাসিট্যান্স ঘনত্বের প্রয়োজন।
| প্যারামিটার | মূল্য | শর্ত |
| ক্যাপাসিটি | 470pF ±10% (±5% উপলব্ধ) | 1MHz, 1.0Vrms |
| নামমাত্র ডিসি ভোল্টেজ | ৩০ ভোল্ট | ক্রমাগত অপারেশন |
| ডাইলেক্ট্রিক প্রতিরোধ ভোল্টেজ | >১০০ ভি ডিসি | ১ মিনিট, ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস |
| ক্যাপাসিটেন্স ঘনত্ব | প্রায় 940nF/mm2 | সাধারণ |
| স্ব-প্রতিধ্বনিত ফ্রিকোয়েন্সি | > ২৫ গিগাহার্জ | সংক্ষিপ্ত বন্ধন তার |
| অন্তর্নিহিত চিপ ESL | <০.০৫এনএইচ | এস-প্যারামিটার থেকে বিচ্ছিন্ন |
| ছড়িয়ে পড়ার কারণ | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Q ফ্যাক্টর @ 1MHz | >২০০০ | সাধারণ |
| Q ফ্যাক্টর @ 1GHz | >৩০০ | সাধারণ |
| আইসোলেশন প্রতিরোধের | ≥১×১০4MΩ | নামমাত্র ভোল্টেজ ডিসি |
| ফুটো প্রবাহ | <১০এনএ | 30 ভোল্ট ডিসি, 25°সি |
| টিসিসি | +৩৫ পিপিএম/°সি | -55°C থেকে +125°C |
| ডিলেক্ট্রিক | হাই-কে থার্মাল অক্সাইড | ঘন, কম পোরোসিটি |
| সাবস্ট্র্যাট | ফ্লোটিং জোন Si, >1000Ω·cm | 🙏 |
| চিপ মাত্রা | 0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি | ±0.025 মিমি |
| শীর্ষ ধাতবীকরণ | TiW (100nm) + Au (≥2.5μm) | ওয়্যার-বন্ড ওরিয়েন্টেড |
| ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0μm | Pt বাধা, Ag- ইপোক্সি সামঞ্জস্যপূর্ণ |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C থেকে +125°C | 🙏 |
| সংরক্ষণ তাপমাত্রা | -65°C থেকে +150°C | 🙏 |
| RoHS | সম্মতি | ইইউ ২০১৫/৮৬৩ |
