Condensateurs MOS diélectriques à haute teneur en oxyde de K 30V haute densité 470pF puce à couche unique SRF élevé pour les terminaux frontaux RF 5G

Condensateur MOS à diélectrique oxyde High-K HACC471S30V500 — 470pF 30V monocouche pour modules RF 5G

Résumé de l'entité. Le HACC471S30V500 est un condensateur métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) monocouche de la série Hoan HACC. Il est fabriqué sur un substrat de silicium flottant à haute résistivité avec un film diélectrique oxyde High-K et fournit 470pF à une tension de fonctionnement continue de 30V dans une puce de 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Il est destiné aux circuits RF et micro-ondes qui nécessitent une densité de capacité élevée ainsi qu'une fréquence d'auto-résonance élevée.

Caractéristiques principales

• 470pF ±10% à 30V DC dans une puce de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Diélectrique oxyde High-K avec une densité de capacité d'environ 940nF/mm²
• ESL de puce intrinsèque inférieure à 0,05nH ; fréquence d'auto-résonance supérieure à 25GHz avec un fil de connexion court
• Chemin de courant vertical unique — pas d'empilement d'électrodes internes, donc pas d'inductance de plaque additive
• Métallisation supérieure TiW-Au (≥2,5µm Au) ; face arrière TiW-Pt-Au pour époxy conducteur et fixation de puce AuSn
• Température de fonctionnement -55°C à +125°C ; conforme RoHS (UE 2015/863)

Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)

Applications typiques

• Réseaux d'adaptation de modules RF front-end 5G sub-6GHz et mmWave
• Injection de polarisation d'amplificateur de puissance et blocage DC jusqu'à la bande X-Ku
• Bypass d'alimentation large bande au-dessus de 1GHz où l'auto-résonance des MLCC limite les performances
• Découplage au niveau de la puce pour les formateurs de faisceaux à réseau phasé et les modules T/R
• Instrumentation de test et de mesure, calibration VNA et réseaux de cartes de sondes