HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HACC471S30V500 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | L/C، D/A، D/P، T/T |
خلاصه موجودیت. HACC471S30V500 یک خازن نیمه‌هادی اکسید فلزی (MOS) تک لایه از سری Hoan HACC است. این خازن بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور با مقاومت بالا با یک لایه دی‌الکتریک اکسید با کاپاسیتانس بالا ساخته شده است و 470 پیکوفاراد را در ولتاژ کاری DC 30 ولت در یک تراشه 0.50 میلی‌متر × 0.50 میلی‌متر × 0.15 میلی‌متر ارائه می‌دهد. این خازن برای مدارهای RF و مایکروویو که به چگالی کاپاسیتانس بالا همراه با فرکانس خود رزونانس بالا نیاز دارند، در نظر گرفته شده است.
| پارامتر | مقدار | شرایط |
| کاپاسیتانس | 470 پیکوفاراد ±10% (±5% موجود است) | 1 مگاهرتز، 1.0 ولت RMS |
| ولتاژ DC نامی | 30 ولت | عملیات پیوسته |
| ولتاژ عایقی دی‌الکتریک | >100 ولت DC | 1 دقیقه، 25 درجه سانتی‌گراد |
| چگالی کاپاسیتانس | حدود 940 نانوفاراد بر میلی‌متر مربع | معمولی |
| فرکانس خود رزونانس | >25 گیگاهرتز | سیم اتصال کوتاه |
| ESL تراشه ذاتی | <0.05 نانوهنری | از پارامترهای S جدا شده است |
| ضریب اتلاف | ≤2.5% | 1 کیلوهرتز، 1 ولت RMS |
| ضریب Q @ 1 مگاهرتز | >2000 | معمولی |
| ضریب Q @ 1 گیگاهرتز | >300 | معمولی |
| مقاومت عایقی | ≥1×104 مگا اهم | در ولتاژ DC نامی |
| جریان نشتی | <10 نانوآمپر | 30 ولت DC، 25 درجه سانتی‌گراد |
| TCC | +35ppm/درجه سانتی‌گراد | -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد |
| دی‌الکتریک | اکسید حرارتی با کاپاسیتانس بالا | متراکم، کم تخلخل |
| زیرلایه | سیلیکون شناور، >1000 اهم سانتی‌متر | — |
| ابعاد تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر | ±0.025 میلی‌متر |
| متالیزاسیون بالایی | TiW (100 نانومتر) + Au (≥2.5 میکرومتر) | جهت‌دار سیم‌بندی |
| متالیزاسیون پشتی | TiW-Pt-Au، Au ≥1.0 میکرومتر | سد پلاتین، سازگار با اپوکسی نقره |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد | — |
| دمای ذخیره‌سازی | -65 درجه سانتی‌گراد تا +150 درجه سانتی‌گراد | — |
| RoHS | سازگار | اتحادیه اروپا 2015/863 |
