HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HACC471S30V500 |
| Adedi: | 10 Adet |
| Ödeme Koşulları: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Varlık özeti. HACC471S30V500, Hoan HACC serisi tek katmanlı bir metal-oksit-yarı iletken (MOS) kapasitördür. Yüksek-K oksit dielektrik filmine sahip yüksek-dirençli float-zone silikon alt tabaka üzerine üretilmiştir ve 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm çipte 30V DC çalışma geriliminde 470pF sağlar. Yüksek kapasitans yoğunluğu ile birlikte yüksek kendi rezonans frekansı gerektiren RF ve mikrodalga devreleri için tasarlanmıştır.
| Parametre | Değer | Koşul |
| Kapasitans | 470pF ±10% (±5% mevcut) | 1MHz, 1.0Vrms |
| Nominal DC Gerilimi | 30V | Sürekli çalışma |
| Dielektrik Dayanım Gerilimi | >100V DC | 1 dakika, 25°C |
| Kapasitans Yoğunluğu | Yaklaşık 940nF/mm² | Tipik |
| Kendi Rezonans Frekansı | >25GHz | Kısa bağlantı teli |
| Dahili Çip ESL | <0.05nH | S-parametrelerinden çıkarılmış |
| Dağılım Faktörü | ≤2.5% | 1kHz, 1Vrms |
| Q Faktörü @ 1MHz | >2000 | Tipik |
| Q Faktörü @ 1GHz | >300 | Tipik |
| İzolasyon Direnci | ≥1×104 MΩ | Nominal gerilimde DC |
| Kaçak Akım | <10nA | 30V DC, 25°C |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C ila +125°C |
| Dielektrik | Yüksek-K termal oksit | Yoğun, düşük gözenekli |
| Alt Tabaka | Float-zone Si, >1000Ω·cm | — |
| Çip Boyutları | 0.50 × 0.50 × 0.15mm | ±0.025mm |
| Üst Metalizasyon | TiW (100nm) + Au (≥2.5µm) | Tel-bağlantı yönelimli |
| Arka Yüzey Metalizasyonu | TiW-Pt-Au, Au ≥1.0µm | Pt bariyer, Ag-epoksi uyumlu |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ila +125°C | — |
| Depolama Sıcaklığı | -65°C ila +150°C | — |
| RoHS | Uyumlu | AB 2015/863 |
