HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC471S30V500 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T |
ملخص الكيانHACC471S30V500 هو مكثف أحادي الطبقة من أكسيد المعدن شبه الموصل (MOS) في سلسلة Hoan HACC.يتم تصنيعها على رصيف السيليكون ذو المناطق العائمة ذات المقاومة العالية مع فيلم كهربائي من أكسيد الكربون عالي وتوفر 470pF عند فولتاج عمل 30V DC فيرقاقة 50 ملم × 0.50 ملم × 0.15 ملم. وهي مخصصة لدوائر RF وميكروويف تتطلب كثافة سعة عالية جنبا إلى جنب مع تردد ارتفاع الرنين الذاتي.
| المعلم | القيمة | الحالة |
| السعة | 470pF ± 10% (± 5% متاحة) | 1MHz، 1.0Vrms |
| الجهد المشترك المسموح به | 30 فولت | التشغيل المستمر |
| الجهد الكهربائي المقاوم للطاقة | > 100 فولت DC | دقيقة واحدة، 25 درجة مئوية |
| كثافة السعة | حوالي 940nF/mm2 | نموذجي |
| تردد الرنين الذاتي | > 25 جيجا هرتز | أسلاك السلك القصيرة |
| الشريحة الداخلية ESL | <0.05nH | غير مضمنة من معايير S |
| عامل التبديد | ≤2.5% | 1kHz، 1Vrms |
| عامل Q @ 1MHz | >2000 | نموذجي |
| عامل Q @ 1GHz | > 300 | نموذجي |
| مقاومة العزل | ≥ 1 × 104MΩ | عند الجهد الاسمي المتردد |
| تيار التسرب | < 10nA | 30 فولت متزامن، 25 درجة مئوية |
| TCC | +35ppm/°C | -55°C إلى +125°C |
| الديليكتريك | أكسيد حراري عالي الكربون | كثيفة ، مسامية منخفضة |
| القالب | المنطقة العائمة Si، > 1000Ω·cm | |
| أبعاد الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم | ±0.025mm |
| المعادن العليا | TiW (100nm) + Au (≥ 2.5μm) | مُوجّهة إلى السلك |
| التعدين الخلفي | TiW-Pt-Au، Au ≥1.0μm | حاجز Pt ، متوافق مع Ag-epoxy |
| درجة حرارة العمل | -55°C إلى +125°C | |
| درجة حرارة التخزين | -65°C إلى +150°C | |
| RoHS | متوافق | الاتحاد الأوروبي 2015/863 |
