Condensadores MOS de dieléctrico de óxido de alto K 30V Alta densidad 470pF Capa única Chip Alta SRF para frontales de RF 5G

Capacitador MOS dieléctrico de óxido de alto K HACC471S30V500 ?? 470pF 30V Chip de capa única para terminales frontales de RF 5G

Resumen de la entidad.El HACC471S30V500 es un condensador MOS (metal-oxide-semiconductor) de una sola capa de la serie Hoan HACC.Está fabricado en un sustrato de silicio de zona flotante de alta resistividad con una película dieléctrica de óxido de alto K y proporciona 470 pF a un voltaje de trabajo de 30 V de CC en una temperatura de 0 °C..50mm × 0.50mm × 0.15mm chip. Está destinado a circuitos de RF y microondas que requieren una alta densidad de capacitancia junto con una alta frecuencia auto-resonante.

Características clave

• 470pF ± 10% a 30 V de corriente continua en un chip de 0,50 × 0,50 × 0,15 mm
• Dieléctrico de óxido de alto K con una densidad de capacitancia de aproximadamente 940 nF/mm2
• ESL de chip intrínseco inferior a 0,05 nH; frecuencia de auto-resonancia superior a 25 GHz con un cable de unión corto
• Pista de corriente vertical única no hay pila interna de electrodos, por lo que no hay inductancia de placa aditiva
• Metalización superior de TiW-Au (≥ 2,5 μm Au); TiW-Pt-Au en la parte trasera para el adhesivo conductor de epoxi y AuSn
• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +125°C; conforme con la Directiva RoHS (UE 2015/863)

Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Las redes de correspondencia de módulos front-end de RF 5G sub-6GHz y mmWave
• Inyección de sesgo del amplificador de potencia y bloqueo de CC hasta la banda X-Ku
• Desvío de suministro de banda ancha por encima de 1 GHz cuando la autorresonancia MLCC limita el rendimiento
• Desacoplamiento a nivel de diésel del formador de haz de matriz en fase y del módulo T/R
• Instrumentación de ensayo y medición, calibración VNA y redes de tarjetas de sonda