รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

คอนเดสซิเตอร์ MOS ไดเอเลคทริกไฮ-เค โอไซด์ 30V ความหนาแน่นสูง 470pF ชิปชั้นเดียว SRF สูงสําหรับ 5G RF Front Ends

Name: คอนเดสซิเตอร์ MOS ไดเอเลคทริกไฮ-เค โอไซด์ 30V ความหนาแน่นสูง 470pF ชิปชั้นเดียว SRF สูงสําหรับ 5G RF Front Ends
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S30V500
Price: ต่อรองได้ USD
Availability: InStock

ชื่อแบรนด์:	Hoan
หมายเลขรุ่น:	HACC471S30V500
ขั้นต่ำ:	10 ชิ้น
เงื่อนไขการชำระเงิน:	L/C,D/A,D/P,T/T

ข้อมูลรายละเอียด

คําอธิบายสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

มณฑลส่านซีประเทศจีน

ได้รับการรับรอง:

ISO 9001:2015, RoHS

ประเภทการติดตั้ง:

ลวดยึดติดแบบติดได้ / ยูเทคติก

ขนาดชิป:

0.50 x 0.50 x 0.15มม

อุณหภูมิในการทำงาน:

-55C ถึง +125C

เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS:

เป็นไปตามข้อกำหนด (EU 2015/863)

เน้น:

คอนเดสเซเตอร์ MOS ไดเอเล็คทริกแบบไฮเคอ๊อกไซด์

คอนเดสซิเตอร์ SRF สูง ESL ต่ํา 470pF

ชิป RF ชั้นเดียวความหนาแน่นสูง

คําอธิบายสินค้า

ไฮ-เค โอไซด์ ไดเลคทริก MOS คอนเดสซิเตอร์ HACC471S30V500 470pF 30V ชิปชั้นเดียวสําหรับ 5G RF Front Ends

สรุปองค์กรHACC471S30V500 เป็นตัวประกอบละเอียดโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประจุ (MOS) แบบชั้นเดียวในซีรีส์ Hoan HACCมันถูกผลิตขึ้นบนพื้นฐานซิลิคอนโซนพลอยความต้านทานสูงที่มีฟิล์มไดเอเลคทริกสูง K-oxide และให้ 470pF ที่ความดันการทํางาน 30V DC ใน 0ชิปขนาด.50mm × 0.50mm × 0.15mm สําหรับวงจร RF และไมโครเวฟที่ต้องการความหนาแน่นความจุสูง พร้อมกับความถี่ที่สะท้อนตัวเองสูง

ลักษณะสําคัญ

470pF ± 10% ใน 30V DC ในชิป 0.50 × 0.50 × 0.15mm
ไดเอเล็คทริกอ๊อกไซด์ K สูงที่มีความหนาแน่นของความจุประมาณ 940nF/mm2
ESL ชิปภายในที่ต่ํากว่า 0.05nH; ความถี่ที่สะท้อนตัวเองมากกว่า 25GHz ด้วยสายพันธนาการสั้น
เส้นทางกระแสไฟฟ้าแนวตั้งเดียว ไม่มีสตั๊กไฟฟ้าภายใน ดังนั้นไม่มีการปรับปริมาตรของแผ่น
TiW-Au ท็อปเมทัลลิเซชั่น (≥ 2.5μm Au); TiW-Pt-Au ด้านหลังสําหรับ epoxy conductive และ AuSn die attach
อุณหภูมิการทํางาน -55°C ถึง +125°C; สอดคล้องกับ RoHS (EU 2015/863)

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

ปริมาตร	มูลค่า	สภาพ
ความจุ	470pF ± 10% (± 5% สามารถใช้ได้)	1MHz 1.0Vrms
ความดันแบบเรียงลําดับ DC	30V	การทํางานต่อเนื่อง
ความดันทนทานแบบแบบดียิเลคทริก	> 100V DC	1 นาที 25°C
ความหนาแน่นของความจุ	ประมาณ 940nF/mm2	แบบปกติ
ความถี่ที่สะท้อนตัวเอง	> 25GHz	สายพันธนาการสั้น
ชิปภายใน ESL	< 0.05nH	De-embedded from S-parameters ปริมาตรการของ S-parameters
ปัจจัยการระบาย	≤2.5%	1kHz, 1Vrms
Q Factor @ 1MHz	>2000	แบบปกติ
Q Factor @ 1GHz	> 300	แบบปกติ
ความต้านทานต่อการปิด	≥ 1 × 10⁴MΩ	ในระดับความดันเฉพาะแบบ DC
กระแสรั่ว	< 10nA	30V DC, 25°C
TCC	+35ppm/°C	-55°C ถึง +125°C
ไดเอเลคทริก	ไฮเคอร์ไซด์ความร้อน	หนาแน่น มีรูขุมน้อย
สับสราต	โซนลอย Si > 1000Ω·cm	รางวัล
ขนาดชิป	0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร	± 0.025 มม
โลหะสูงสุด	TiW (100nm) + Au (≥ 2.5μm)	สายด่วน
การทําโลหะด้านหลัง	TiW-Pt-Au, Au ≥ 1.0μm	ป้องกัน Pt รองรับ Ag-epoxy
อุณหภูมิการทํางาน	-55°C ถึง +125°C	รางวัล
อุณหภูมิในการเก็บ	-65°C ถึง +150°C	รางวัล
RoHS	สอดคล้อง	ยูโรป 2015/863

การใช้งานทั่วไป

5G sub-6GHz และ mmWave RF Front-end Module Matching Networks เครือข่าย
การฉีดฉีดความคัดแย้งของเครื่องเสริมพลังงานและการกั้น DC ถึงช่วง X-Ku
การเลี่ยงการให้บริการแบบเบนด์กว้างมากกว่า 1GHz เมื่อ MLCC อัตโนมัติจํากัดผลประกอบการ
การแยกแยกระดับการเจาะของรังสีแบบเรียงระยะ และโมดูล T/R
อุปกรณ์การทดสอบและการวัด เครือข่ายปรับระดับ VNA และเครือข่ายการตรวจสอบบัตร

คอนเดสซิเตอร์ MOS ไดเอเลคทริกไฮ-เค โอไซด์ 30V ความหนาแน่นสูง 470pF ชิปชั้นเดียว SRF สูงสําหรับ 5G RF Front Ends

แท็ก:

ตัวเหนี่ยวนำทรงกรวย

อินดูเตอร์เบนด์กว้าง

ตัวเหนี่ยวนำแกนอากาศ

ตัวเหนี่ยวนำขดลวดอากาศ

เครื่องปรับความแรง MOS