details van de producten

Huis Producten

Hoge-K-oxide dielectrische MOS-capacitoren 30V Hoge dichtheid 470pF Eénlaagchip Hoge SRF voor 5G RF Front Ends

Name: Hoge-K-oxide dielectrische MOS-capacitoren 30V Hoge dichtheid 470pF Eénlaagchip Hoge SRF voor 5G RF Front Ends
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S30V500
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HACC471S30V500
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	L/C, D/A, D/P, T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015, RoHS

Montagetype:

Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging

Chipafmetingen:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Bedrijfstemperatuur:

-55C tot +125C

RoHS:

Conform (EU 2015/863)

Markeren:

High-K-oxide dielectrische MOS-capacitoren

Hoge SRF lage ESL 470pF condensator

Hoogdichtheids-single-layer RF-chip

Productomschrijving

High-K Oxide Diëlektrische MOS Condensator HACC471S30V500 — 470pF 30V Enkellaags Chip voor 5G RF Front-Ends

Samenvatting van de entiteit. De HACC471S30V500 is een enkellaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator in de Hoan HACC-serie. Hij is vervaardigd op een siliciumsubstraat met hoge weerstand van float-zone met een hoog-K oxide diëlektrische film en levert 470pF bij een DC-werkspanning van 30V in een chip van 0,50 mm × 0,50 mm × 0,15 mm. Hij is bedoeld voor RF- en microgolfcircuits die een hoge capaciteitsdichtheid vereisen, samen met een hoge zelfresonantiefrequentie.

Belangrijkste Kenmerken

470pF ±10% bij 30V DC in een 0,50 × 0,50 × 0,15 mm chip
Hoog-K oxide diëlektricum met een capaciteitsdichtheid van ongeveer 940nF/mm²
Intrinsieke chip ESL onder 0,05nH; zelfresonantiefrequentie boven 25GHz met een korte bonddraad
Enkel verticaal stroompad — geen interne elektrode-stapel, dus geen extra plaatinductie
TiW-Au top metallisatie (≥2,5µm Au); TiW-Pt-Au achterkant voor geleidende epoxy en AuSn die-bevestiging
Bedrijfstemperatuur -55°C tot +125°C; RoHS-conform (EU 2015/863)

Elektrische Specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)

Parameter	Waarde	Conditie
Capaciteit	470pF ±10% (±5% beschikbaar)	1MHz, 1,0Vrms
Nominale DC-spanning	30V	Continue werking
Diëlektrische weerstandsspanning	>100V DC	1 minuut, 25°C
Capaciteitsdichtheid	ongeveer 940nF/mm²	Typisch
Zelfresonantiefrequentie	>25GHz	Korte bonddraad
Intrinsieke Chip ESL	<0,05nH	Gedeevolueerd uit S-parameters
Dissipatiefactor	≤2,5%	1kHz, 1Vrms
Q-factor @ 1MHz	>2000	Typisch
Q-factor @ 1GHz	>300	Typisch
Isolatieweerstand	≥1×10⁴ MΩ	Bij nominale spanning DC
Lekstroom	<10nA	30V DC, 25°C
TCC	+35ppm/°C	-55°C tot +125°C
Diëlektricum	Hoog-K thermische oxide	Dicht, lage porositeit
Substraat	Float-zone Si, >1000Ω·cm	—
Chipafmetingen	0,50 × 0,50 × 0,15 mm	±0,025 mm
Top Metallisatie	TiW (100nm) + Au (≥2,5µm)	Draad-bond georiënteerd
Achterkant Metallisatie	TiW-Pt-Au, Au ≥1,0µm	Pt-barrière, Ag-epoxy compatibel
Bedrijfstemperatuur	-55°C tot +125°C	—
Opslagtemperatuur	-65°C tot +150°C	—
RoHS	Conform	EU 2015/863

Typische Toepassingen

5G sub-6GHz en mmWave RF front-end module matching netwerken
Power-amplifier bias injectie en DC-blokkering tot X-Ku band
Breedband supply bypass boven 1GHz waar MLCC zelfresonantie prestaties beperkt
Phased-array beamformer en T/R module die-level ontkoppeling
Test- en meetinstrumentatie, VNA-kalibratie en probe-card netwerken

Hoge-K-oxide dielectrische MOS-capacitoren 30V Hoge dichtheid 470pF Eénlaagchip Hoge SRF voor 5G RF Front Ends

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren