Hoch-K-Oxid-Dielektrikum MOS-Kondensatoren 30V Hohe Dichte 470pF Einschicht-Chip Hohe SRF für 5G RF-Frontends

Hoch-K-Oxid-Dielektrikum MOS-Kondensator HACC471S30V500 — 470pF 30V Einschicht-Chip für 5G RF-Front-Ends

Zusammenfassung der Entität.Der HACC471S30V500 ist ein Einschicht-Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Kondensator der Hoan HACC-Serie. Er wird auf einem hochohmigen Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einer Hoch-K-Oxid-Dielektrikumsschicht gefertigt und liefert 470pF bei einer Gleichspannung von 30V in einem 0,50mm × 0,50mm × 0,15mm Chip. Er ist für RF- und Mikrowellenschaltungen bestimmt, die eine hohe Kapazitätsdichte zusammen mit einer hohen Eigenresonanzfrequenz erfordern.

Hauptmerkmale

• 470pF ±10% bei 30V DC in einem 0,50 × 0,50 × 0,15mm Chip
• Hoch-K-Oxid-Dielektrikum mit einer Kapazitätsdichte von ca. 940nF/mm²
• Intrinsische Chip-ESL unter 0,05nH; Eigenresonanzfrequenz über 25GHz mit kurzem Bonddraht
• Vertikaler Strompfad — kein interner Elektrodenstapel, daher keine zusätzliche Platteninduktivität
• TiW-Au-Top-Metallisierung (≥2,5µm Au); TiW-Pt-Au-Rückseite für leitfähigen Epoxidharz- und AuSn-Die-Attach
• Betriebstemperatur -55°C bis +125°C; RoHS-konform (EU 2015/863)

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)

Typische Anwendungen

• 5G Sub-6GHz und mmWave RF-Front-End-Modul-Matching-Netzwerke
• Power-Amplifier-Bias-Injektion und DC-Blockierung bis X-Ku-Band
• Breitbandige Versorgungsbypass über 1GHz, wo die MLCC-Eigenresonanz die Leistung begrenzt
• Phased-Array-Beamformer und T/R-Modul-Decoupling auf Die-Ebene
• Test- und Messtechnik, VNA-Kalibrierung und Probe-Card-Netzwerke