Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Высоко-К Оксидные Диэлектрические МОП-Конденсаторы 30В Высокой Плотности 470пФ Однослойные Чиповые с Высокой SRF для 5G RF Фронт-Эндов

Название бренда:	Hoan
Номер модели:	ХАСС471С30В500
минимальный заказ:	10 шт.
Условия оплаты:	Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т

Детальная информация

Характер продукции

Детальная информация

Место происхождения:

Шэньси, Китай

Сертификация:

ISO 9001:2015, RoHS

Тип монтажа:

Крепление проволочной/эвтектической матрицы

Размеры чипа:

0,50 х 0,50 х 0,15 мм

Рабочая температура:

от -55°С до +125°С

РоХС:

Соответствует (ЕС 2015/863)

Выделить:

Диэлектрические конденсаторы MOS с высоким содержанием оксида K

Конденсатор с высоким SRF и низким ESL 470pF

Высокая плотность однослойного радиочастотного чипа

Характер продукции

Диэлектрический конденсатор MOS с высоким содержанием оксида K HACC471S30V500 ?? 470pF 30V однослойный чип для 5G RF Front Ends

Резюме организации.HACC471S30V500 - однослойный конденсатор полупроводников из серии Hoan HACC.Он изготовлен на высокорезистивном кремниевом подложке плавающей зоны с диэлектрической пленкой с высоким содержанием оксида K и обеспечивает 470pF при рабочем напряжении 30 В постоянного тока в 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm чип. Он предназначен для радиочастотных и микроволновых схем, которые требуют высокой плотности емкости вместе с высокой саморезонансной частотой.

Ключевые особенности

470pF ± 10% при 30 В постоянном напряжении в 0,50 × 0,50 × 0,15 мм чипе
Диэлектрик с высоким содержанием оксида K с плотностью емкости около 940nF/mm2
Внутренний чип ESL ниже 0,05nH; саморезонансная частота выше 25 ГГц с коротким проводом связи
Единый вертикальный путь тока без внутренней электродной стеки, поэтому без добавленной индуктивности пластины
верхняя металлизация TiW-Au (≥ 2,5μm Au); задняя сторона TiW-Pt-Au для проводящего эпоксида и AuSn
Рабочая температура от -55°C до +125°C; соответствует требованиям RoHS (ЕС 2015/863)

Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано)

Параметр	Стоимость	Состояние
Пропускная способность	470pF ±10% (доступно ±5%)	1 МГц, 1,0 Врм
Номинальное постоянное напряжение	30 В	Непрерывная работа
Диэлектрическое стойкое напряжение	> 100 В постоянного тока	1 минута, 25°C
Плотность емкости	около 940nF/мм2	Типичный
Саморезонансная частота	> 25 ГГц	Короткий проволока
Внутренний чип ESL	< 0,05nH	Снято с S-параметров
Фактор рассеивания	≤ 2,5%	1 кГц, 1 Врм
Q-фактор @ 1 МГц	>2000	Типичный
Q-фактор @ 1 ГГц	> 300	Типичный
Сопротивление изоляции	≥ 1 × 10⁴MΩ	При номинальном напряжении DC
Ток утечки	< 10nA	30В постоянного тока, 25°С
ТЦК	+35ppm/°C	-55°C до +125°C
Диэлектрический	Термический оксид с высоким содержанием кислорода	Плотность, низкая пористость
Субстрат	Зона плавания Si, > 1000Ω·cm	—
Размеры микросхем	00,50 × 0,50 × 0,15 мм	± 0,025 мм
Высокая металлизация	TiW (100nm) + Au (≥ 2,5μm)	Ориентированные на проволоку
Металлизация с обратной стороны	TiW-Pt-Au, Au ≥ 1,0 мкм	Пт-барьер, совместим с Ag-эпоксидом
Операционная температура	-55°C до +125°C	—
Температура хранения	-65°C до +150°C	—
RoHS	Соответствует	ЕС 2015/863

Типичные применения

Сети сопоставления модулей 5G sub-6GHz и mmWave RF front-end
Инъекция преимущества усилителя мощности и блокировка тока до X-Ku-диапазона
Обход широкополосного питания свыше 1 ГГц, когда саморезонанс MLCC ограничивает производительность
Разъединитель фазового массива лучей и модуль T/R
Приборы для испытаний и измерений, калибровка ВНА и сети зондовых карт

Высоко-К Оксидные Диэлектрические МОП-Конденсаторы 30В Высокой Плотности 470пФ Однослойные Чиповые с Высокой SRF для 5G RF Фронт-Эндов

Бирки:

Надежные МОП-конденсаторы с высоким напряжением пробоя, ультраминиатюрные, с низкими утечками, 50 В, с возможностью проволочного монтажа SLC

Получите самую лучшую цену

Конический индуктор

Индукторы широкополосного доступа

Индуктор ядра воздуха

Индуктор воздушной катушки

Конденсаторы MOS