Kapasitor MOS Dielektrik dengan K-Oksida Tinggi 30V Densitas Tinggi 470pF Chip Lapisan Tunggal SRF Tinggi untuk Front End 5G RF

High-K Oxide Dielectric MOS Capacitor HACC471S30V500 470pF 30V Single Layer Chip untuk 5G RF Front End

Ringkasan Entitas.HACC471S30V500 adalah kapasitor logam-oksida-semikonduktor (MOS) satu lapisan dalam seri Hoan HACC.Ini diproduksi pada substrat silikon zona terapung resistivitas tinggi dengan film dielektrik oksida K tinggi dan memberikan 470pF pada tegangan kerja 30V DC dalam 0.50mm × 0.50mm × 0.15mm chip. Hal ini dimaksudkan untuk RF dan sirkuit microwave yang membutuhkan kepadatan kapasitansi tinggi bersama dengan frekuensi resonansi diri yang tinggi.

Fitur Utama

• 470pF ±10% pada 30V DC dalam chip 0,50 × 0,50 × 0,15mm
• Dielektrik oksida K tinggi dengan kepadatan kapasitansi sekitar 940nF/mm2
• ESL chip intrinsik di bawah 0,05nH; frekuensi resonansi diri di atas 25GHz dengan kawat ikatan pendek
• Jalur arus vertikal tunggal tidak ada tumpukan elektroda internal, jadi tidak ada induktansi pelat aditif
• Metalisasi atas TiW-Au (≥ 2,5μm Au); sisi belakang TiW-Pt-Au untuk epoxy konduktif dan AuSn die attach
• Suhu operasi -55°C sampai +125°C; sesuai dengan RoHS (EU 2015/863)

Spesifikasi listrik (T = 25°C kecuali dinyatakan)

Aplikasi Tipikal

• 5G sub-6GHz dan mmWave RF front-end module matching networks
• Injeksi bias penguat daya dan pemblokiran DC hingga pita X-Ku
• Bypass pasokan broadband di atas 1GHz di mana MLCC self-resonance membatasi kinerja
• Fase array beamformer dan modul T/R die-level decoupling
• Instrumen pengujian dan pengukuran, kalibrasi VNA dan jaringan kartu probe