優れた耐電圧 1000pF 100V MOSコンデンサ 安定誘電体 ワイヤボンディング可能共晶チップ

超高圧分解 1000 pF 100 V MOS コンデンサータ (HACC102S100V500) 安定したダイレクトリック,ワイヤル結合可能なユーテキス式ダイアタッチチップ

概要:ハーンHACC102S100V5001000 pF ±10%の単層MOSコンデンサで,100VDCで,ダイエレクトリック抵抗電圧 250 V DC (250% 定数電圧) 以上,a安定した 0 ± 30 ppm/°C ダイレクトリック-55°Cから+125°C以上,金属化システムで,金線結合そしてユーテキック・ダイ・アタッチ.

単層MOS コンデンサータとは?

A についてMOS コンデンサ(Metal_Oxide_Semiconductor) は,熱栽培された二酸化シリコン (SiO) を使用する単層コンデンサターです.₂) 高抵抗性シリコン基板上に金属電極を上と下に置く.内部電極スタックがない場合,電流は垂直的に1つの電解層を通過します.固有等価系列誘導力 (ESL) がゼロに近い多層セラミックコンデンサター (MLCC) と比べると高い自己共鳴周波数 (SRF) と予測可能な温度動作.

主要なパフォーマンスメリット

• 超電圧分解◎ 250 V DC (250% の 100 V の連続電圧) を超えた電圧耐圧,部品1個につき 100% の生産量で試験.
• ダイレクトリック安定性熱性SiOのCOG/NPO等価 Iクラス₂温度系数 0 ± 30 ppm/°Cから -55°Cから +125°C,DCバイアス系数 (<10 ppm/V) はほとんどなく,鉄電気老化がない.
• ワイヤル-ボンドブル & ユーテキストック・ダイ・アタッチ 準備│上部TiW-Auスタック (≥2.5μmAu) は, >6gfの引き力で25μmの金線結合をサポートする.裏側TiW-Pt-Auはプラチナの拡散障壁で,信頼性の高いAuSn (80/20) ユーテクトスと伝導性エポキシ型ダイア付着を可能にします..
• 漏れが少ない定位電圧で25°Cで<10nA,125°Cで<100nA
• ESRが低い効率的なRFバイパスのために,1GHzで通常<0.1 Ω.

電気仕様 (T = 25°C 記載がない限り)