english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Superieure spanningsbreuk 1000 pF 100 V MOS-capacitor (HACC102S100V500)
SamenvattingDe HoanHACC102S100V500is een 1000 pF ±10% enkellagig MOS-capacitor met een nominale stroom van 100 V, met eendielektrische bestandspanning van meer dan 250 V gelijkstroom (250% van de nominale spanning), astabiel 0 ± 30 ppm/°C dielectricummet een temperatuur van -55 °C tot +125 °C, en een metallisatiesysteem dat voor zowelGouddraadbindingenIn het geval van eutectic die.
Wat is een enkellagige MOS-capacitor?
EenMOS condensator(Metal Oxide Halveconductor condensator) is een eenlaagse condensator die gebruikmaakt van een thermisch gekweekte siliciumdioxide (SiO)2Met een dielektrische laag op een hoogweerstands silicium substraat, met metalen elektroden aan de bovenkant en onderkant.met een bijna-nul intrinsieke equivalent reeksinductiviteit (ESL), een hoge zelfresonantiefrequentie (SRF) en voorspelbaar temperatuurgedrag in vergelijking met meerlagige keramische condensatoren (MLCC).
Belangrijkste prestatievoordelen
- Opperspanningsonderbreking- dielektrische bestandspanning van meer dan 250 V gelijkstroom (250% van de continue nominale van 100 V), 100% gecontroleerde productie per stuk.
- Dielectrische stabiliteit️ COG/NPO-equivalente thermische SiO van klasse I2met een temperatuurcoëfficiënt van 0 ± 30 ppm/°C van -55°C tot +125°C, een verwaarloosbare DC-biascoëfficiënt (< 10 ppm/V) en geen ferro-elektrische veroudering.
- Draadbindend & Eutectisch Doodbindend Klaar een bovenste TiW-Au-stapel (≥ 2,5 μm Au) ondersteunt 25 μm gouddraadbinding met een treksterkte van > 6 gf;de achterzijde TiW-Pt-Au met een platina-difusiebarrière maakt een betrouwbare AuSn (80/20) eutectic en geleidende epoxy die attach mogelijk.
- Laag lek️ < 10 nA bij 25°C en < 100 nA bij 125°C bij nominale spanning.
- Laag ESRb. "technologie" voor het "ontwikkelen" of "ontwikkelen" van "technologieën" voor het "ontwikkelen", "ontwikkelen" of "ontwikkelen" van "technologieën" voor "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling" en "ontwikkeling".
Elektrische specificaties (T = 25°C, tenzij vermeld)
| Parameter | Waarde | Voorwaarde |
| Capaciteit | 1000 pF ±10% (±5% beschikbaar) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Nominale spanning (DC) | 100 V | Continu |
| Dielektrische weerstandsspanning | > 250 V gelijkstroom (250% nominale stroom) | 5 s verblijf, 100% getest |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C tot +125°C |
| Dissipatiefactor | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Leckage-stroom | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | Bij nominale spanning |
| Isolatieweerstand | ≥ 104 MΩ | Bij nominale spanning, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Typisch |
| Intrinsieke chip ESL | < 0,05 nH | De-ingebed |
| Zelfresonantiefrequentie | > 1,5 GHz chipniveau; > 600 MHz met 0,5 mm banddraad | Typisch |
| Dielektrische absorptie | < 0,1% | 1 kHz |
| Chip afmetingen | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Topmetallisering | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | met een breedte van niet meer dan 15 mm |
| Achterzijde metallisatie | TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (Pt-barrière) | AuSn / epoxy-klaar |
| Draadband treksterkte | > 6 gf voor 25 μm Au-draad | Mil-STD-883 methode 2011.7 |
| ESD-rating | Klasse 0 (HBM) per JESD22-A114 | - |
