english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Превосходный пробой напряжения 1000 пФ 100 В МОП-конденсатор (HACC102S100V500) — Стабильный диэлектрик, пригодный для пайки эвтектическим припоем с использованием проволочных выводов
Резюме: Hoan HACC102S100V500 представляет собой однослойный МОП-конденсатор емкостью 1000 пФ ±10% с номинальным напряжением 100 В постоянного тока, с напряжением пробоя диэлектрика более 250 В постоянного тока (250% от номинального напряжения), стабильным диэлектриком 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C и системой металлизации, готовой как для проволочной сварки золотом, так и для эвтектической пайки кристалла AuSn.
Что такое однослойный МОП-конденсатор?
МОП-конденсатор (металл-полупроводник-оксид) — это однослойный конденсатор, в котором используется термически выращенный диэлектрик из диоксида кремния (SiO2 класса I, эквивалентный COG/NPO, с температурным коэффициентом 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, пренебрежимо малым коэффициентом смещения постоянного тока (Ключевые преимущества в производительности
Превосходный пробой напряжения
- — напряжение пробоя диэлектрика более 250 В постоянного тока (250% от непрерывного номинального напряжения 100 В), 100% производственное тестирование каждого изделия.Стабильность диэлектрика
- — диэлектрик SiO2 класса I, эквивалентный COG/NPO, с температурным коэффициентом 0 ±30 ppm/°C в диапазоне от -55°C до +125°C, пренебрежимо малым коэффициентом смещения постоянного тока (<10 ppm/В) и отсутствием ферроэлектрического старения.Готовность к проволочной сварке и эвтектической пайке
- — верхний слой TiW-Au (≥2,5 мкм Au) поддерживает проволочную сварку золотом диаметром 25 мкм с прочностью на разрыв >6 гс; нижний слой TiW-Pt-Au с платиновым диффузионным барьером обеспечивает надежную эвтектическую пайку AuSn (80/20) и пайку проводящим эпоксидным компаундом.Низкая утечка
- — <10 нА при 25°C и <100 нА при 125°C при номинальном напряжении.Низкое ESR
- — обычно <0,1 Ом при 1 ГГц для эффективного RF-байпаса.Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано иное)
Параметр
| Значение | Условие | Емкость |
| 1000 пФ ±10% (доступно ±5%) | 1 МГц, 1,0 В среднеквадр. | Номинальное напряжение (постоянный ток) |
| 100 В | Непрерывное | Напряжение пробоя диэлектрика |
| >250 В постоянного тока (250% номинального) | Выдержка 5 с, 100% тестирование | ТКЦ |
| 0 ±30 ppm/°C | -55°C до +125°C | Коэффициент рассеяния |
| ≤0,15% | 1 кГц, 1,0 В среднеквадр. | Ток утечки |
| При номинальном напряжении | <10 nA @ 25°C> | Сопротивление изоляции |
| ≥10⁴ МОм | При номинальном напряжении, 25°C | ESR @ 1 ГГц |
| <0,1 Ом | Типичное | Диэлектрическая абсорбция |
| <0,05 нГн | Де-эмбеддированная | Собственная резонансная частота |
| >1,5 ГГц на уровне кристалла; >600 МГц с проволочным выводом 0,5 мм | Типичное | Диэлектрическая абсорбция |
| <0,1% | 1 кГц | Размеры кристалла |
| 0,50 × 0,50 × 0,15 мм | ±25 мкм | Верхняя металлизация |
| TiW-Au, ≥2,5 мкм Au | Для проволочной сварки | Нижняя металлизация |
| TiW-Pt-Au, ≥1,0 мкм Au (Pt барьер) | Готовность к AuSn / эпоксидной пайке | Прочность проволочного вывода на разрыв |
| >6 гс для золотой проволоки 25 мкм | MIL-STD-883 Метод 2011.7 | Рейтинг ESD |
| Класс 0 (HBM) по JESD22-A114 | - |
