english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Yüksek Voltaj Bölünmesi 1000 pF 100 V MOS Kondensatör (HACC102S100V500)
Özet:HoanHACC102S100V5001000 pF ± 10% tek katmanlı MOS kapasitörüdür ve 100 V DC'ye sahip250 V DC'den fazla dilektrik dayanıklılık voltajı (250% nominal voltaj), aistikrarlı 0 ± 30 ppm/°C dielektrik-55°C'den +125°C'ye kadar, ve her ikisi için de hazır bir metalleşme sistemiAltın tel bağlamaveEutektik katman.
Tek Katmanlı MOS Kondensatörü Nedir?
AMOS kapasitörü(Metal Oksit Yarım iletken kondansatörü) termik olarak yetiştirilen silikon dioksit (SiO) kullanan tek katmanlı kondansatördür.2) yüksek dirençli silikon bir substrat üzerinde, üstte ve altta metal elektrotlar ile dielektrik. İç elektrot yığını olmadan, akım dikey olarak bir dielektrik katman üzerinden akar,sıfıra yakın içsel eşdeğer seri indüktansi (ESL) veren, çok katmanlı seramik kondansatörlere (MLCC) kıyasla yüksek kendi kendine rezonans frekansı (SRF) ve öngörülebilir sıcaklık davranışı.
Ana Performans Avantajları
- Yüksek Voltaj Çöküşü- 250 V DC'den (100 V sürekli değerinin % 250'si) daha büyük bir elektrikli dayanıklılık voltajı, parça başına % 100 üretimi test edilmiştir.
- Dielektrik istikrarıI. sınıf COG/NPO eşdeğer SiO2-55°C'den +125°C'ye kadar 0 ± 30 ppm/°C'lik bir sıcaklık katsayısı, önemsiz bir DC-bias katsayısı (<10 ppm/V) ve ferroelektrik yaşlanma yok.
- Kablo bağlayıcı ve eutetik ölçekli yapıştırma hazır bir üst TiW-Au yığını (≥2,5 μm Au), >6 gf çekim gücü ile 25 μm altın tel bağlamasını destekler;Platin difüzyon bariyeri ile arka taraf TiW-Pt-Au, güvenilir AuSn (80/20) eutektik ve iletken-epoksi döşeme yapıştırmasını sağlar..
- Düşük Sızıntı25°C'de <10 nA ve 125°C'de nominal voltajda <100 nA.
- Düşük ESR1 GHz'te verimli RF bypass için tipik olarak <0,1 Ω.
Elektriksel özellikler (T = 25°C, belirtilmediği sürece)
| Parametreler | Değer | Durum |
| Kapasite | 1000 pF ±10% (±5% kullanılabilir) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| İsimlendirilmiş Voltaj (DC) | 100 V | Devamlı |
| Dielektrik Dayanıklı Voltaj | >250 V DC (250% nominal) | 5 saniye, %100 test |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C - +125°C |
| Çözüm faktörü | ≤0,15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| Sızıntı akımı | <10 nA @ 25°C / <100 nA @ 125°C | İsimlendirilmiş voltajda |
| İzolasyon Direnci | ≥104 MΩ | Adlık voltajda, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Tipik |
| İçsel Çip ESL | <0,05 nH | Yerleştirilmemiş |
| Kendi Kendine Rezonans Frekansı | >1,5 GHz çip seviyesinde; >600 MHz 0,5 mm bağ tel ile | Tipik |
| Dielektrik Absorpsiyon | < 0,1% | 1 kHz |
| Çip Boyutları | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm | ±25 μm |
| Üst Metalleşme | TiW-Au, ≥2,5 μm Au | Kablo bağlanabilir |
| Arka tarafta metalleşme | TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (Pt bariyeri) | AuSn / epoksi hazır |
| Kablo Bağlantısı Çekim Gücü | 25 μm Au tel için >6 gf | MIL-STD-883 Yöntem 2011.7 |
| ESD derecelendirmesi | JESD22-A114'e göre 0 sınıf (HBM) | - |
