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Capaciteur MOS à claquage de tension supérieur 1000 pF 100 V (HACC102S100V500) — Diélectrique stable, puce à fixation eutectique soudable par fil
Résumé: Le Hoan HACC102S100V500 est un condensateur MOS monocouche de 1000 pF ±10% nominal à 100 V CC, avec une tension de tenue diélectrique supérieure à 250 V CC (250 % de la tension nominale), un diélectrique stable de 0 ±30 ppm/°C sur la plage de -55°C à +125°C, et un système de métallisation prêt pour le soudage par fil d'or et la fixation eutectique par puce AuSn.
Qu'est-ce qu'un condensateur MOS monocouche ?
Un condensateur MOS (condensateur Métal-Oxyde-Semiconducteur) est un condensateur monocouche qui utilise un diélectrique d'oxyde de silicium (SiO2) obtenu par croissance thermique sur un substrat de silicium à haute résistivité, avec des électrodes métalliques en haut et en bas. Sans empilement d'électrodes internes, le courant circule verticalement à travers une seule couche diélectrique, offrant une inductance série équivalente (ESL) intrinsèque proche de zéro, une fréquence d'auto-résonance (SRF) élevée et un comportement thermique prévisible par rapport aux condensateurs céramiques multicouches (MLCC).
Avantages clés en termes de performances
- Claquage de tension supérieur — tension de tenue diélectrique supérieure à 250 V CC (250 % de la tension continue nominale de 100 V), testée en production à 100 % par pièce.
- Stabilité du diélectrique — SiO thermique de classe I équivalent COG/NPO2 avec un coefficient de température de 0 ±30 ppm/°C de -55°C à +125°C, un coefficient de polarisation CC négligeable (<10 ppm/V) et aucune vieillissement ferroélectrique.
- Prêt pour soudage par fil et fixation eutectique — une pile TiW-Au supérieure (≥2,5 µm Au) prend en charge le soudage par fil d'or de 25 µm avec une force de traction >6 gf ; le TiW-Pt-Au arrière avec une barrière de diffusion de platine permet une fixation eutectique AuSn (80/20) et époxy conductrice fiable.
- Faible fuite — <10 nA à 25°C et <100 nA à 125°C à la tension nominale.
- Faible ESR — typiquement <0,1 Ω à 1 GHz pour un contournement RF efficace.
Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)
| Paramètre | Valeur | Condition |
| Capacité | 1000 pF ±10% (±5% disponible) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Tension nominale (CC) | 100 V | Continue |
| Tension de tenue diélectrique | >250 V CC (250 % nominal) | Maintien de 5 s, testé à 100 % |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C à +125°C |
| Facteur de dissipation | ≤0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Courant de fuite | <10 nA @ 25°C> | À la tension nominale |
| Résistance d'isolement | ≥10⁴ MΩ | À la tension nominale, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Typique |
| ESL intrinsèque de la puce | <0,05 nH | Dé-embarqué |
| Fréquence d'auto-résonance | >1,5 GHz au niveau de la puce ; >600 MHz avec fil de soudure de 0,5 mm | Typique |
| Absorption diélectrique | <0,1% | 1 kHz |
| Dimensions de la puce | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±25 µm |
| Métallisation supérieure | TiW-Au, ≥2,5 µm Au | Soudable par fil |
| Métallisation arrière | TiW-Pt-Au, ≥1,0 µm Au (barrière Pt) | Prêt pour AuSn / époxy |
| Force de traction du fil de soudure | >6 gf pour fil d'or de 25 µm | MIL-STD-883 Méthode 2011.7 |
| Indice de protection ESD | Classe 0 (HBM) selon JESD22-A114 | - |
