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우수한 전압 분해 1000 pF 100 V MOS 콘덴시터 (HACC102S100V500) ∆ 안정적인 다이 일렉트릭, 유텍틱 다이 애치 칩
요약:호안HACC102S100V5001000pF ±10% 단층 MOS 콘덴시터로, 100V DC로,250V DC 이상의 변압전압 (명소전압의 250%), a안정적인 0 ± 30ppm/°C 다이렉트릭-55°C 이상에서 +125°C까지, 그리고 둘 다 사용할 수 있는 금속화 시스템황금 철도 접착그리고유테크틱 매트.
단층 MOS 콘덴세서 는 무엇 입니까?
AMOS 콘덴서(Metal_Oxide_Semiconductor capacitor) 는 열적으로 자라는 이산화 실리콘 (SiO) 을 사용하는 단층 콘덴시터이다.2) 고 저항성 실리콘 기판에 있는 변전기, 위와 아래에 금속 전극을 설치하고, 내부 전극 스택이 없는 상태에서, 전류는 변전기 층을 가로지르며 수직으로 흐른다.거의 0의 내적 동등 시리즈 인덕턴스 (ESL) 를 부여합니다., 높은 자기 공명 주파수 (SRF) 와 예측 가능한 온도 행동 다층 세라믹 콘덴서 (MLCC) 와 비교하면
주요 성능 장점
- 상위 전압 분해- 250V DC (250V 연속 등급 100V의 50%) 이상의 변압전압을 견딜 수 있는 변압전기, 1개 단위로 100% 생산량 테스트
- 다이 일렉트릭 안정성I 클래스 COG/NPO 합동 열 SiO2온도 계수 0 ± 30ppm/°C에서 -55°C에서 +125°C까지, DC 편향 계수 (<10ppm/V) 가 무시할 수 있으며 철전기 노화가 없습니다.
- 와이어-보인 & 유텍틱 다이 애착 준비✅ 최상위 TiW-Au 스택 (≥2.5μm Au) 은 6gf 이상의 당기 강도를 가진 25μm 금 와이어 결합을 지원합니다.플래티넘 확산 장벽을 가진 뒷면 TiW-Pt-Au는 신뢰할 수있는 AuSn (80/20) 유텍스 및 전도성 에포시 다이 붙여넣을 수 있습니다..
- 낮은 누출량25°C에서 <10nA, 125°C에서 <100nA 등급전압에서
- 낮은 ESR1GHz에서 일반적으로 <0.1 Ω로 효율적인 RF 바이패스를 위해.
전기적 사양 (T = 25°C 표시되지 않는 경우)
| 매개 변수 | 가치 | 조건 |
| 용량 | 1000 pF ±10% (±5% 사용 가능) | 1MHz, 1.0Vrms |
| 가등전압 (DC) | 100V | 연속 |
| 다이 일렉트릭 저항 전압 | > 250V DC (250% 등급) | 5초 지속, 100% 테스트 |
| TCC | 0 ±30ppm/°C | -55°C ~ +125°C |
| 분산 요인 | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| 누출 전류 | <10 nA @ 25°C / <100 nA @ 125°C | 가등전압에서 |
| 단열 저항 | ≥104 MΩ | 가등전압 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | 전형적 |
| 내부 칩 ESL | <0.05 nH | 배열되지 않은 것 |
| 자기 공명 주파수 | >1.5 GHz의 칩 레벨, >600 MHz의 0.5mm의 결합 와이어 | 전형적 |
| 다이 일렉트릭 흡수 | <0.1% | 1kHz |
| 칩 크기 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±25μm |
| 최고 금속화 | TiW-Au, ≥2.5μm Au | 밧줄로 묶는 것 |
| 뒷면 금속화 | TiW-Pt-Au, ≥1.0μm Au (Pt 장벽) | AuSn / 에포시 준비 |
| 와이어 본드 당기력 | 25μm Au 와이어에서 > 6gf | MIL-STD-883 방법 2011.7 |
| ESD 등급 | JESD22-A114에 따른 0급 (HBM) | - |
