english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
فشرده سازی ولتاژ برتر 1000 pF 100 V MOS Capacitor (HACC102S100V500)
خلاصه:هوانHACC102S100V500یک خازن MOS تک لایه ای 1000 pF ±10٪ با قدرت 100 V DC استولتاژ مقاومت دی الکتریکی بالاتر از 250 V DC (250٪ از ولتاژ نامی)، aدی الکتریک ثابت 0 ± 30 ppm/°Cبیش از -55°C تا +125°C، و یک سیستم فلز سازی آماده برای هر دوپیوند سیم طلاودر مورد استفاده از دستگاه های ارتفاعی.
یک خازن تک لایه ای MOS چیست؟
Aخازن MOS(Metal_Oxide_Semiconductor capacitor) یک خازن تک لایه ای است که از دی اکسید سیلیکون (SiO) که به صورت حرارتی رشد کرده است استفاده می کند.2) دی الکتریک بر روی یک بستر سیلیکون با مقاومت بالا، با الکترود های فلزی در بالا و پایین. بدون استیک الکترود داخلی، جریان عمودی از طریق یک لایه دی الکتریک جریان می یابد.با یک استحکام سری معادل ذاتی نزدیک به صفر (ESL)، فرکانس خود-رنگر (SRF) بالا و رفتار دمای قابل پیش بینی در مقایسه با خازن های سرامیکی چند لایه (MLCCs).
مزیت های کلیدی عملکرد
- شکستن ولتاژ بالاتر- ولتاژ مقاومت دی الکتریک بیشتر از 250 ولت DC (250٪ از 100 ولت مستمر) ، 100٪ تولید در هر قطعه آزمایش شده است.
- ثبات دی الکتریک️ درجه I COG/NPO مترادف با SiO2با یک ضریب دمای 0 ± 30 ppm/°C از -55°C تا + 125°C، یک ضریب تعصب DC ناچیز (< 10 ppm/V) و بدون پیری فارو الکتریکی.
- سیم بسته بندی & Eutectic Die Attach آماده✅ یک استیک بالای TiW-Au (≥2.5 μm Au) از اتصال سیم طلای 25 μm با قدرت کششی >6 gf پشتیبانی می کند.پشت TiW-Pt-Au با یک مانع پخش پلاتین، امکان اتصال قابل اعتماد AuSn (80/20) eutectic و conductive-epoxy را فراهم می کند..
- نشت کم️<10 nA در 25°C و <100 nA در 125°C در ولتاژ نامی.
- ESR پایین√ معمولا <0.1 Ω در 1 GHz برای بای پاس RF کارآمد.
مشخصات الکتریکی (T = 25°C مگر اینکه ذکر شده باشد)
| پارامتر | ارزش | شرایط |
| ظرفیت | 1000 pF ± 10% (± 5% در دسترس) | 1 مگاهرتز، 1.0 ورمیس |
| ولتاژ نامی (DC) | 100 ولت | مستمر |
| ولتاژ مقاومت دی الکتریک | >250 ولت DC (250٪ نامگذاری شده) | 5 s اقامت، 100٪ آزمایش شده است |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C تا +125°C |
| فاکتور تبعید | ≤0.15٪ | 1 kHz، 1.0 Vrms |
| جریان نشت | <10 nA @ 25°C / <100 nA @ 125°C | در ولتاژ نامی |
| مقاومت عایق | ≥104 MΩ | در ولتاژ نامی، 25°C |
| ESR @ 1GHz | <0.1 Ω | نمادین |
| تراشه داخلی ESL | <0.05 nH | از داخل جدا شده |
| فرکانس رزوناسیون خود | >1.5GHz سطح تراشه؛ >600MHz با سیم اتصال 0.5mm | نمادین |
| جذب دی الکتریک | < 0.1% | 1kHz |
| ابعاد تراشه | 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی متر | ±25 μm |
| فلز سازی بالا | TiW-Au، ≥2.5 μm Au | سیم بسته |
| فلز سازی پشت | TiW-Pt-Au، ≥1.0 μm Au (حاجز Pt) | AuSn / آماده اپوکسی |
| قدرت کشش باند سیم | >6 gf برای سیم Au 25 μm | روش MIL-STD-883 2011.7 |
| رتبه بندی ESD | کلاس 0 (HBM) بر اساس JESD22-A114 | - |
