english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
ตัวเก็บประจุ MOS แรงดันไฟฟ้าสูง 1000 pF 100 V (HACC102S100V500) — ไดอิเล็กทริกเสถียร, การยึดชิปแบบหลอมเหลวด้วยลวดทอง
สรุป: Hoan HACC102S100V500 คือตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 1000 pF ±10% ที่มีพิกัด 100 V DC, พร้อม แรงดันไฟฟ้าที่ทนต่อไดอิเล็กทริกสูงกว่า 250 V DC (250% ของแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด), ไดอิเล็กทริกเสถียร 0 ±30 ppm/°C ในช่วง -55°C ถึง +125°C, และระบบโลหะที่พร้อมสำหรับทั้ง การเชื่อมลวดทอง และ การยึดชิปแบบหลอมเหลว AuSn.
ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวคืออะไร?
ตัวเก็บประจุ MOS (ตัวเก็บประจุโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ) คือตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวที่ใช้ซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) ที่เติบโตด้วยความร้อนเป็นไดอิเล็กทริกบนซับสเตรตซิลิคอนที่มีความต้านทานสูง, พร้อมขั้วไฟฟ้าโลหะทั้งด้านบนและด้านล่าง เนื่องจากไม่มีการซ้อนขั้วไฟฟ้าภายใน กระแสจะไหลในแนวตั้งผ่านชั้นไดอิเล็กทริกเพียงชั้นเดียว ทำให้มีค่าความเหนี่ยวนำอนุกรมสมมูล (ESL) ที่ใกล้ศูนย์, ความถี่เรโซแนนซ์ในตัวเอง (SRF) สูง และพฤติกรรมตามอุณหภูมิที่คาดการณ์ได้เมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCCs)
ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพหลัก
- แรงดันไฟฟ้าพังทลายที่เหนือกว่า — แรงดันไฟฟ้าที่ทนต่อไดอิเล็กทริกสูงกว่า 250 V DC (250% ของพิกัดต่อเนื่อง 100 V), ทดสอบการผลิต 100% ต่อชิ้น
- ความเสถียรของไดอิเล็กทริก — เทียบเท่า Class I COG/NPO SiO2 ที่มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ 0 ±30 ppm/°C ตั้งแต่ -55°C ถึง +125°C, ค่าสัมประสิทธิ์แรงดัน DC ที่น้อยมาก (<10 ppm/V) และไม่มีการเสื่อมสภาพจากเฟอร์โรอิเล็กทริก
- พร้อมสำหรับการเชื่อมลวดและยึดชิปแบบหลอมเหลว — การซ้อน TiW-Au ด้านบน (≥2.5 µm Au) รองรับการเชื่อมลวดทอง 25 µm ด้วยแรงดึง >6 gf; ด้านหลัง TiW-Pt-Au พร้อมตัวกั้นการแพร่ของแพลทินัม ช่วยให้การยึดชิปแบบหลอมเหลว AuSn (80/20) และอีพ็อกซี่นำไฟฟ้ามีความน่าเชื่อถือ
- การรั่วไหลต่ำ — <10 nA ที่ 25°C และ <100 nA ที่ 125°C ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด
- ESR ต่ำ — โดยทั่วไป <0.1 Ω ที่ 1 GHz สำหรับการบายพาส RF ที่มีประสิทธิภาพ
ข้อมูลจำเพาะทางไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่จะระบุไว้)
| พารามิเตอร์ | ค่า | เงื่อนไข |
| ความจุ | 1000 pF ±10% (±5% มีให้เลือก) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด (DC) | 100 V | ต่อเนื่อง |
| แรงดันไฟฟ้าที่ทนต่อไดอิเล็กทริก | >250 V DC (250% ของพิกัด) | คงค้าง 5 วินาที, ทดสอบ 100% |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C ถึง +125°C |
| ปัจจัยการสูญเสีย | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| กระแสรั่วไหล | <10 nA @ 25°C> | ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด |
| ความต้านทานฉนวน | ≥10⁴ MΩ | ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | โดยทั่วไป |
| ESL ของชิปภายใน | <0.05 nH | De-embedded |
| ความถี่เรโซแนนซ์ในตัวเอง | >1.5 GHz ระดับชิป; >600 MHz พร้อมลวดพัน 0.5 มม. | โดยทั่วไป |
| การดูดซับไดอิเล็กทริก | <0.1% | 1 kHz |
| ขนาดชิป | 0.50 × 0.50 × 0.15 มม. | ±25 µm |
| การเคลือบโลหะด้านบน | TiW-Au, ≥2.5 µm Au | เชื่อมลวดได้ |
| การเคลือบโลหะด้านหลัง | TiW-Pt-Au, ≥1.0 µm Au (ตัวกั้น Pt) | พร้อมสำหรับ AuSn / อีพ็อกซี่ |
| แรงดึงลวดพัน | >6 gf สำหรับลวดทอง 25 µm | MIL-STD-883 วิธี 2011.7 |
| ระดับ ESD | คลาส 0 (HBM) ตาม JESD22-A114 | - |
