উচ্চতর ভোল্টেজ ব্রেকডাউন ১০০০pF ১০০V MOS ক্যাপাসিটর স্থিতিশীল ডাইইলেকট্রিক ওয়্যার বন্ডেবল ইউটেকটিক চিপ

সুপার ভোল্টেজ ব্রেকডাউন 1000 পিএফ 100 ভি এমওএস ক্যাপাসিটর (এইচএসিসি 102 এস 100 ভি 500)

সংক্ষিপ্তসার:হুনHACC102S100V500একটি 1000 পিএফ ± 10% একক স্তরীয় এমওএস ক্যাপাসিটর যা 100 ভি ডিসিতে নামকরণ করা হয়েছে,250 ভি ডিসি (নামমাত্র ভোল্টেজের 250%) এর উপরে একটি ডায়েলেক্ট্রিক স্ট্যান্ডিং ভোল্টেজ, aস্থিতিশীল 0 ±30 পিপিএম/°C ডায়েলেক্ট্রিক-৫৫°সি থেকে +১২৫°সি এর উপরে, এবং একটি ধাতবীকরণ সিস্টেম উভয় জন্য প্রস্তুতসোনার তারের বন্ধনএবংইউটেক্টিক ডাই অ্যাটেচ.

এক স্তরীয় এমওএস ক্যাপাসিটর কি?

এএমওএস ক্যাপাসিটার(মেটাল অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ক্যাপাসিটর) একটি একক স্তর ক্যাপাসিটর যা একটি তাপীয়ভাবে উত্থিত সিলিকন ডাই অক্সাইড (SiO) ব্যবহার করে₂) একটি উচ্চ প্রতিরোধের সিলিকন সাবস্ট্র্যাটের উপর একটি dielectric, উপরে এবং নীচে ধাতু ইলেকট্রোড সঙ্গে। কোন অভ্যন্তরীণ ইলেকট্রোড স্ট্যাক ছাড়া, বর্তমান একটি dielectric স্তর মাধ্যমে উল্লম্বভাবে প্রবাহিত হয়,যার অন্তর্নিহিত সমতুল্য সিরিজ ইন্ডাক্ট্যান্স (ইএসএল) প্রায় শূন্যমাল্টিলেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটর (এমএলসিসি) এর তুলনায় একটি উচ্চ স্ব-প্রতিক্রিয়াশীল ফ্রিকোয়েন্সি (এসআরএফ) এবং পূর্বাভাসযোগ্য তাপমাত্রা আচরণ।

প্রধান পারফরম্যান্স সুবিধা

• উচ্চতর ভোল্টেজ ভাঙ্গন√ ডায়েলক্ট্রিক প্রতিরোধের ভোল্টেজ 250 V DC (250 V ধ্রুবক নামক 100 V এর 50%), 100% উৎপাদন প্রতি টুকরা পরীক্ষা করা হয়।
• ডায়েলেক্ট্রিক স্থিতিশীলতাক্লাস I COG/NPO সমতুল্য তাপীয় SiO₂একটি তাপমাত্রা সহগ 0 ± 30 পিপিএম/°C থেকে -55°C থেকে +125°C, একটি তুচ্ছ DC-বিভাজক সহগ (<10 পিপিএম/ভি) এবং কোন ferroelectric পক্বতা।
• ওয়্যার-বন্ডেবল & ইউটেটিক ডাই অ্যাটেচ রেডি✅ একটি শীর্ষ TiW-Au স্ট্যাক (≥2.5 μm Au) 25 μm সোনার তারের বন্ধন সমর্থন করে > 6 gf টান শক্তি সহ;প্ল্যাটিনাম ডিফিউশন বাধা সহ পিছনের দিকের টিডাব্লু-পিটি-আউ নির্ভরযোগ্য আউএসএন (80/20) ইউটেটিক এবং পরিবাহী-ইপোক্সি ডাই সংযুক্ত করতে সক্ষম করে.
• কম ফুটোনামমাত্র ভোল্টেজে ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে <১০ এনএ এবং ১২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াসে <১০০ এনএ।
• নিম্ন ইএসআর√ সাধারণত <০.১ ওএম ১ গিগাহার্টজ এ কার্যকর আরএফ বাইপাসের জন্য।

বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি উল্লেখ না করা হয়)