english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Superior Voltage Breakdown 1000 pF 100 V MOS Capacitor (HACC102S100V500)
Ringkasan:HoanHACC102S100V500adalah 1000 pF ± 10% kondensator MOS satu lapisan dengan nilai 100 V DC, dengantegangan tahan dielektrik di atas 250 V DC (250% dari tegangan nominal), astabil 0 ± 30 ppm/°C dielektriklebih dari -55°C sampai +125°C, dan sistem metalisasi siap untuk keduaPengikat kawat emasdanPengobatan Eutektis.
Apa Kondensator MOS Satu Lapisan?
AKondensator MOS(Metal Oksida Semikonduktor kondensator) adalah kondensator satu lapisan yang menggunakan silikon dioksida termal tumbuh (SiO)2Tanpa tumpukan elektroda internal, arus mengalir secara vertikal melalui satu lapisan dielektrik,memberikan induktansi seri setara intrinsik hampir nol (ESL), frekuensi resonansi diri yang tinggi (SRF) dan perilaku suhu yang dapat diprediksi dibandingkan dengan kapasitor keramik multilayer (MLCC).
Keuntungan Kinerja Utama
- Pemecahan Tegangan Tinggi Tegangan tahan dielektrik lebih dari 250 V DC (250% dari 100 V continuous rating), 100% produksi diuji per potongan.
- Stabilitas DielektrikKelas I COG/NPO-setara termal SiO2dengan koefisien suhu 0 ± 30 ppm/°C dari -55°C sampai +125°C, koefisien bias DC yang tidak signifikan (< 10 ppm/V) dan tidak ada penuaan ferroelektrik.
- Wire-Bondable & Eutectic Die Attach Siap tumpukan TiW-Au atas (≥ 2,5 μm Au) mendukung pengikatan kawat emas 25 μm dengan kekuatan tarik > 6 gf;sisi belakang TiW-Pt-Au dengan penghalang difusi platinum memungkinkan aman AuSn (80/20) eutectic dan konduktif-epoxy die attach.
- Kebocoran Rendah️ < 10 nA pada 25°C dan < 100 nA pada 125°C pada tegangan nominal.
- ESR rendah√ biasanya <0,1 Ω pada 1 GHz untuk bypass RF yang efisien.
Spesifikasi listrik (T = 25°C kecuali dinyatakan)
| Parameter | Nilai | Kondisi |
| Kapasitas | 1000 pF ±10% (±5% tersedia) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Tegangan nominal (DC) | 100 V | Berkelanjutan |
| Tegangan Tahan Dielektrik | > 250 V DC (250% nominal) | 5 s tinggal, 100% diuji |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C sampai +125°C |
| Faktor Dissipasi | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Arus kebocoran | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | Pada tegangan nominal |
| Resistensi Isolasi | ≥ 104 MΩ | Pada tegangan nominal, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0,1 Ω | Tipikal |
| Chip intrinsik ESL | < 0,05 nH | Tidak tertanam |
| Frekuensi Resonansi Sendiri | > 1,5 GHz tingkat chip; > 600 MHz dengan kawat ikatan 0,5 mm | Tipikal |
| Absorpsi Dielektrik | < 0,1% | Satu kHz. |
| Dimensi Chip | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Metalisasi Atas | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | Kawat yang dapat diikat |
| Metalisasi Bagian Belakang | TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (penghalang Pt) | AuSn / epoxy siap |
| Kekuatan Tarik Ikatan Kawat | > 6 gf untuk kawat Au 25 μm | Metode MIL-STD-883 tahun 2011.7 |
| Peringkat ESD | Kelas 0 (HBM) per JESD22-A114 | - |
