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सुपीरियर वोल्टेज ब्रेकडाउन 1000 pF 100 V MOS कैपेसिटर (HACC102S100V500) — स्थिर डाइइलेक्ट्रिक, वायर-बॉन्डेबल यूटेक्टिक डाई अटैच चिप
सारांश: होआन HACC102S100V500 एक 1000 pF ±10% सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर है जो 100 V DC पर रेटेड है, जिसमें 250 V DC (रेटेड वोल्टेज का 250%) से अधिक डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज, एक -55°C से +125°C तक स्थिर 0 ±30 ppm/°C डाइइलेक्ट्रिक और एक मेटलाइजेशन सिस्टम है जो गोल्ड वायर बॉन्डिंग और AuSn यूटेक्टिक डाई अटैच
दोनों के लिए तैयार है।
सिंगल-लेयर MOS कैपेसिटर क्या है?एक MOS कैपेसिटर — क्लास I COG/NPO-समतुल्य थर्मल SiO2
) डाइइलेक्ट्रिक का उपयोग करता है, जिसमें ऊपर और नीचे मेटल इलेक्ट्रोड होते हैं। कोई आंतरिक इलेक्ट्रोड स्टैक नहीं होने के कारण, करंट एक डाइइलेक्ट्रिक परत से लंबवत रूप से प्रवाहित होता है, जिससे मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (MLCCs) की तुलना में लगभग शून्य आंतरिक समतुल्य श्रृंखला इंडक्शन (ESL), उच्च स्व-अनुनाद आवृत्ति (SRF) और अनुमानित तापमान व्यवहार होता है।
- मुख्य प्रदर्शन लाभसुपीरियर वोल्टेज ब्रेकडाउन
- — 250 V DC (100 V निरंतर रेटिंग का 250%) से अधिक डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज, प्रति पीस 100% उत्पादन परीक्षण किया गया।डाइइलेक्ट्रिक स्थिरता — क्लास I COG/NPO-समतुल्य थर्मल SiO2 -55°C से +125°C तक 0 ±30 ppm/°C के तापमान गुणांक के साथ, एक नगण्य DC-बायस गुणांक (
- <10 ppm/V) और कोई फेरोइलेक्ट्रिक एजिंग नहीं।वायर-बॉन्डेबल और यूटेक्टिक डाई अटैच तैयार
- — एक टॉप TiW-Au स्टैक (≥2.5 µm Au) 25 µm गोल्ड वायर बॉन्डिंग को >6 gf पुल स्ट्रेंथ के साथ सपोर्ट करता है; प्लैटिनम डिफ्यूजन बैरियर वाला बैकसाइड TiW-Pt-Au विश्वसनीय AuSn (80/20) यूटेक्टिक और कंडक्टिव-एपॉक्सी डाई अटैच को सक्षम बनाता है।कम लीकेज —
- रेटेड वोल्टेज पर 25°C पर <10 nA और 125°C पर <100 nA।कम ESR — कुशल RF बाईपास के लिए
1 GHz पर <0.1 Ω
| । | विद्युत विनिर्देश (T = 25°C जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो) | पैरामीटर |
| मान | स्थिति | कैपेसिटेंस |
| 1000 pF ±10% (±5% उपलब्ध) | 1 MHz, 1.0 Vrms | रेटेड वोल्टेज (DC) |
| 100 V | निरंतर | डाइइलेक्ट्रिक विदस्टैंडिंग वोल्टेज |
| >250 V DC (250% रेटेड) | 5 s ड्वेल, 100% परीक्षण | TCC |
| 0 ±30 ppm/°C | -55°C से +125°C | डिसिपेशन फैक्टर |
| ≤0.15% | <10 nA @ 25°C> | 1 kHz, 1.0 Vrms | लीकेज करंट
| रेटेड वोल्टेज पर | इंसुलेशन रेजिस्टेंस | |
| ≥10⁴ MΩ | रेटेड वोल्टेज पर, 25°C | सेल्फ-रेज़ोनेंट फ्रीक्वेंसी |
| <0.1 Ω | विशिष्ट | आंतरिक चिप ESL |
| <0.05 nH | डी-एम्बेडेड | सेल्फ-रेज़ोनेंट फ्रीक्वेंसी |
| >1.5 GHz चिप-लेवल; 0.5 mm बॉन्ड वायर के साथ >600 MHz | विशिष्ट | डाइइलेक्ट्रिक एब्जॉर्प्शन |
| <0.1% | 1 kHz | चिप आयाम |
| 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±25 µm | टॉप मेटलाइजेशन |
| TiW-Au, ≥2.5 µm Au | वायर बॉन्डेबल | बैकसाइड मेटलाइजेशन |
| TiW-Pt-Au, ≥1.0 µm Au (Pt बैरियर) | AuSn / एपॉक्सी तैयार | वायर बॉन्ड पुल स्ट्रेंथ |
| 25 µm Au वायर के लिए >6 gf | MIL-STD-883 मेथड 2011.7 | ESD रेटिंग |
