english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Poziom napięcia wyższy 1000 pF 100 V kondensator MOS (HACC102S100V500)
Podsumowanie:HoanHACC102S100V500jest jednowarstwowym kondensatorem MOS o pojemności 1000 pF ± 10% o napięciu nominalnym 100 V prądu stałego, oW przypadku urządzeń do obróbki ścieków, włączając urządzenia do obróbki ścieków, astabilny 0 ± 30 ppm/°C dielektrycznyponad -55°C do +125°C oraz system metalizacji gotowy do obydwuZwiązanie złotego drutua takżeZastosowanie eutektyczne.
Co to jest kondensator MOS jednopoziomowy?
AKondensator MOS(Metal·Oxide·Semiconductor capacitor) to jednowarstwowy kondensator, który wykorzystuje cieplnie uprawiany dwutlenek krzemu (SiO)2Bez wewnętrznego stosu elektrod prąd przepływa pionowo przez jedną warstwę dielektryczną,dając niemal zerową wewnętrzną odpowiednią indukcyjność szeregową (ESL), wysoka częstotliwość samo-rezonansowa (SRF) i przewidywalne zachowanie temperatury w porównaniu z wielowarstwowymi kondensatorami ceramicznymi (MLCC).
Kluczowe zalety wydajności
- Złamanie napięcia wyższego dielektryczne napięcie wytrzymałe większe niż 250 V prądu stałego (250% stałego napięcia 100 V), 100% produkcji badanej na sztukę.
- Stabilność dielektrycznaW przypadku, gdy wprowadzone są zmiany, należy określić, w jaki sposób te zmiany mogą być uwzględnione.2z współczynnikiem temperatury 0 ± 30 ppm/°C w zakresie od -55°C do +125°C, nieznacznym współczynnikiem stronniczości prądu stałego (< 10 ppm/V) i bez ferroelektrycznego starzenia.
- Włókno-przywiązane & Eutectic Die Attach Ready górny stos TiW-Au (≥2,5 μm Au) obsługuje wiązanie drutu złota o długości 25 μm o wytrzymałości ciągnięcia > 6 gf;tylna strona TiW-Pt-Au z platynową barierą dyfuzyjną umożliwia niezawodne przymocowanie biegów eutektycznych i przewodzących epoksydowych AuSn (80/20).
- Niski poziom wycieku
- Niska ESR√ zazwyczaj <0,1 Ω w 1 GHz w celu skutecznego pominięcia RF.
Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że jest to zaznaczone)
| Parametry | Wartość | Warunki |
| Pojemność | 1000 pF ±10% (±5% dostępne) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Narysowane napięcie (DC) | 100 V | Ciągłe |
| Dielektryczne napięcie odporne | > 250 V prądu stałego (250% nominalnego) | 5 s pobytu, 100% badane |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C do +125°C |
| Wskaźnik rozpraszania | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Prąd przecieku | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | Przy napięciu nominalnym |
| Odporność na izolację | ≥ 104 MΩ | Przy napięciu nominalnym, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Typowe |
| Własny chip ESL | < 0,05 nH | Zdejmowane z układu |
| Częstotliwość samorezonansowa | > 1,5 GHz na poziomie chipu; > 600 MHz z 0,5 mm przewodem łącznikowym | Typowe |
| Absorpcja dielektryczna | < 0,1% | 1 kHz |
| Wymiary chipów | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Metalizacja górna | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | Włókna z przędzy |
| Metalizacja z tyłu | TiW-Pt-Au, ≥1,0 μm Au (bariera Pt) | AuSn / gotowe epoksydowe |
| Siła przyciągania wiązania drutu | > 6 gf dla drutu Au o długości 25 μm | Metodyka MIL-STD-883 z 2011 r.7 |
| Ocena ESD | Klasa 0 (HBM) według JESD22-A114 | - |
