english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Ανώτερη Τάση Διάρρηξης 1000 pF 100 V Πυκνωτής MOS (HACC102S100V500) — Σταθερός Διηλεκτρικός, Συγκολλήσιμος με Καλώδιο Ευτηκτικό Συγκολλητικό Chip
Σύνοψη: Το Hoan HACC102S100V500 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 1000 pF ±10% με ονομαστική τάση 100 V DC, με τάση διηλεκτρικής αντοχής άνω των 250 V DC (250% της ονομαστικής τάσης), ένας σταθερός διηλεκτρικός 0 ±30 ppm/°C σε θερμοκρασίες από -55°C έως +125°C, και ένα σύστημα μεταλλώσεων έτοιμο τόσο για συγκόλληση με χρυσό σύρμα όσο και για ευτηκτική συγκόλληση chip AuSn.
Τι Είναι ένας Μονοστρωματικός Πυκνωτής MOS;
Ένας πυκνωτής MOS (πυκνωτής Μετάλλου-Οξειδίου-Ημιαγωγού) είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής που χρησιμοποιεί ένα θερμικά αναπτυγμένο διηλεκτρικό διοξειδίου του πυριτίου (SiO2) σε ένα υπόστρωμα πυριτίου υψηλής αντίστασης, με μεταλλικά ηλεκτρόδια στην κορυφή και στο κάτω μέρος. Χωρίς εσωτερική στοίβα ηλεκτροδίων, το ρεύμα ρέει κάθετα μέσω ενός διηλεκτρικού στρώματος, παρέχοντας σχεδόν μηδενική εγγενή ισοδύναμη σειράς επαγωγής (ESL), υψηλή συχνότητα αυτοσυντονισμού (SRF) και προβλέψιμη συμπεριφορά θερμοκρασίας σε σύγκριση με τους πολυστρωματικούς κεραμικούς πυκνωτές (MLCCs).
Βασικά Πλεονεκτήματα Απόδοσης
- Ανώτερη Τάση Διάρρηξης — τάση διηλεκτρικής αντοχής μεγαλύτερη από 250 V DC (250% της συνεχούς ονομαστικής τάσης 100 V), 100% δοκιμή παραγωγής ανά τεμάχιο.
- Σταθερότητα Διηλεκτρικού — ισοδύναμο με Κλάση I COG/NPO SiO2 με συντελεστή θερμοκρασίας 0 ±30 ppm/°C από -55°C έως +125°C, αμελητέο συντελεστή DC-πόλωσης (<10 ppm/V) και χωρίς φεροηλεκτρική γήρανση.
- Έτοιμο για Συγκόλληση με Καλώδιο & Ευτηκτική Συγκόλληση Chip — μια άνω στοίβα TiW-Au (≥2.5 µm Au) υποστηρίζει συγκόλληση με χρυσό σύρμα 25 µm με δύναμη έλξης >6 gf· το πίσω μέρος TiW-Pt-Au με φράγμα διάχυσης πλατίνας επιτρέπει αξιόπιστη ευτηκτική συγκόλληση AuSn (80/20) και συγκόλληση με αγώγιμη εποξειδική ρητίνη.
- Χαμηλή Διαρροή — <10 nA στους 25°C και <100 nA στους 125°C στην ονομαστική τάση.
- Χαμηλό ESR — τυπικά <0.1 Ω στα 1 GHz για αποτελεσματική παράκαμψη RF.
Ηλεκτρικές Προδιαγραφές (T = 25°C εκτός αν σημειώνεται)
| Παράμετρος | Τιμή | Συνθήκη |
| Χωρητικότητα | 1000 pF ±10% (±5% διαθέσιμο) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| Ονομαστική Τάση (DC) | 100 V | Συνεχής |
| Τάση Διηλεκτρικής Αντοχής | >250 V DC (250% ονομαστική) | 5 s παραμονή, 100% δοκιμή |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C έως +125°C |
| Συντελεστής Διάχυσης | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| Ρεύμα Διαρροής | <10 nA @ 25°C> | Στην ονομαστική τάση |
| Αντίσταση Μόνωσης | ≥10⁴ MΩ | Στην ονομαστική τάση, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | Τυπικό |
| Εγγενής ESL Chip | <0.05 nH | Απο-ενσωματωμένο |
| Συχνότητα Αυτοσυντονισμού | >1.5 GHz σε επίπεδο chip· >600 MHz με σύρμα συγκόλλησης 0.5 mm | Τυπικό |
| Διηλεκτρική Απορρόφηση | <0.1% | 1 kHz |
| Διαστάσεις Chip | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±25 µm |
| Μεταλλωση Κορυφής | TiW-Au, ≥2.5 µm Au | Συγκολλήσιμο με καλώδιο |
| Μεταλλωση Πίσω Όψης | TiW-Pt-Au, ≥1.0 µm Au (φράγμα Pt) | Έτοιμο για AuSn / εποξειδική ρητίνη |
| Δύναμη Έλξης Καλωδίου Συγκόλλησης | >6 gf για χρυσό σύρμα 25 µm | MIL-STD-883 Μέθοδος 2011.7 |
| Αξιολόγηση ESD | Κλάση 0 (HBM) ανά JESD22-A114 | - |
