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Capacitor MOS de Alta Tensão de Ruptura 1000 pF 100 V (HACC102S100V500) — Dielétrico Estável, Chip com Fixação Eutética Soldável por Fio
Resumo: O Hoan HACC102S100V500 é um capacitor MOS de camada única de 1000 pF ±10% com classificação de 100 V CC, com uma tensão dielétrica de suportabilidade superior a 250 V CC (250% da tensão nominal), um dielétrico estável de 0 ±30 ppm/°C de -55°C a +125°C, e um sistema de metalização pronto para soldagem por fio de ouro e fixação eutética AuSn.
O Que é um Capacitor MOS de Camada Única?
Um capacitor MOS (capacitor Metal-Oxido-Semicondutor) é um capacitor de camada única que utiliza um dielétrico de dióxido de silício (SiO2) crescido termicamente em um substrato de silício de alta resistividade, com eletrodos metálicos na parte superior e inferior. Sem empilhamento de eletrodos internos, a corrente flui verticalmente através de uma única camada dielétrica, proporcionando uma indutância série equivalente (ESL) intrínseca próxima de zero, uma alta frequência de auto-ressonância (SRF) e comportamento de temperatura previsível em comparação com capacitores cerâmicos multicamadas (MLCCs).
Principais Vantagens de Desempenho
- Alta Tensão de Ruptura — tensão dielétrica de suportabilidade superior a 250 V CC (250% da classificação contínua de 100 V), testado em produção 100% por peça.
- Estabilidade Dielétrica — SiO2 térmico equivalente à Classe I COG/NPO com um coeficiente de temperatura de 0 ±30 ppm/°C de -55°C a +125°C, um coeficiente de polarização CC negligenciável (<10 ppm/V) e sem envelhecimento ferroelétrico.
- Pronto para Soldagem por Fio e Fixação Eutética — uma pilha superior TiW-Au (≥2.5 µm Au) suporta soldagem por fio de ouro de 25 µm com força de tração >6 gf; a parte traseira TiW-Pt-Au com uma barreira de difusão de platina permite fixação eutética AuSn (80/20) e epóxi condutivo confiável.
- Baixo Vazamento — <10 nA a 25°C e <100 nA a 125°C na tensão nominal.
- Baixo ESR — tipicamente <0.1 Ω a 1 GHz para desvio de RF eficiente.
Especificações Elétricas (T = 25°C, a menos que indicado o contrário)
| Parâmetro | Valor | Condição |
| Capacitância | 1000 pF ±10% (±5% disponível) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| Tensão Nominal (CC) | 100 V | Contínua |
| Tensão Dielétrica de Suportabilidade | >250 V CC (250% nominal) | 5 s de permanência, 100% testado |
| TCC | 0 ±30 ppm/°C | -55°C a +125°C |
| Fator de Dissipação | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| Corrente de Vazamento | <10 nA @ 25°C> | Na tensão nominal |
| Resistência de Isolamento | ≥10⁴ MΩ | Na tensão nominal, 25°C |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | Típico |
| ESL Intrínseca do Chip | <0.05 nH | Desempenhado |
| Frequência de Auto-Ressonância | >1.5 GHz no nível do chip; >600 MHz com fio de solda de 0.5 mm | Típico |
| Absorção Dielétrica | <0.1% | 1 kHz |
| Dimensões do Chip | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±25 µm |
| Metalização Superior | TiW-Au, ≥2.5 µm Au | Soldável por fio |
| Metalização Traseira | TiW-Pt-Au, ≥1.0 µm Au (barreira de Pt) | Pronto para AuSn / epóxi |
| Força de Tração do Fio de Solda | >6 gf para fio de Au de 25 µm | MIL-STD-883 Método 2011.7 |
| Classificação ESD | Classe 0 (HBM) por JESD22-A114 | - |
