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Superiore Voltage Breakdown 1000 pF 100 V MOS Capacitor (HACC102S100V500) Stable Dielectric, Wire-Bondable Eutectic Die Attach Chip
Riassunto:Il Hoan.HACC102S100V500is a 1000 pF ±10% single-layer MOS capacitor rated at 100 V DC, with aDielectric withstanding voltage above 250 V DC (250% della tensione nominale), aStabile 0 ± 30 ppm/°C dielettricoover -55°C to +125°C, and a metallisation system ready for both.Gold Wire Bonding- eUn'autodeterminazione..
Che cos'è un condensatore MOS a singolo strato?
ACapacitore MOSIl condensatore a semiconduttore è un condensatore a singolo strato che utilizza un biossido di silicio (SiO) coltivato termicamente.2Con nessuna pila di elettrodi interna, la corrente scorre verticalmente attraverso uno strato dielettrico.giving a near-zero intrinsic equivalent series inductance (ESL) che è una serie di inductance, una alta frequenza di auto-risonanza (SRF) e un comportamento di temperatura prevedibile rispetto ai condensatori ceramici multilayer (MLCC).
Principali vantaggi di prestazione
- Rottura di tensione superiore.- Dielectric withstanding voltage greater than 250 V DC (250% of the 100 V continuous rating), 100% production tested per piece.
- Stabilità dielettrica.✓ Classe I COG/NPO-equivalente termico SiO2con un coefficiente di temperatura di 0 ± 30 ppm/°C da -55°C a +125°C, un coefficiente di bias DC trascurabile (<10 ppm/V) e nessun invecchiamento ferroelettrico.
- Wire-Bondable e Eutectic Die Attach ReadyUn top TiW-Au stack (≥2.5 μm Au) supporta 25 μm gold wire bonding with >6 gf pull strength;the backside TiW-Pt-Au with a platinum diffusion barrier enables reliable AuSn (80/20) eutectic and conductive-epoxy die attach.
- Basso perdite.‡ <10 nA a 25°C e <100 nA a 125°C a tensione nominale.
- Basso ESR.Typically <0.1 Ω at 1 GHz for efficient RF bypass.
Specifiche elettriche (T = 25°C, salvo indicazione)
| Parametro | Valore | Condizione |
| Capacità | 1000 pF ± 10% (± 5% disponibile) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Tensione nominale (DC) | 100 V | Continuo |
| Tensione resistente dielettrica | > 250 V di corrente continua (250% nominale) | 5 s dwell, 100% testato. |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C a +125°C |
| Fattore di dissipazione | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Corrente di perdita | Per quanto riguarda la temperatura, la temperatura è inferiore a 25 °C. | A tensione nominale. |
| Resistenza all'isolamento | ≥ 104 MΩ | A tensione nominale, 25°C. |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Tipico |
| Chip intrinseco ESL | < 0,05 nH | Non incorporato |
| Frequenza di auto-risonanza | > 1.5 GHz chip-level; > 600 MHz with 0.5 mm bond wire | Tipico |
| Assorbimento dielettrico | < 0,1% | 1 kHz |
| Dimensioni del chip | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Metalizzazione superiore | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | Fabbricazione a partire da fibre sintetiche |
| Metalizzazione sul retro | TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (barriera Pt) | Epoxy ready. |
| Forza di trazione del filo | > 6 gf per 25 μm Au wire | Metodo MIL-STD-883 2011.7 |
| Rating ESD | Classe 0 (HBM) per JESD22-A114 | - |
