english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
انكسار الجهد العالي 1000 pF 100 فولت مكثف MOS (HACC102S100V500)
ملخص:(هوان)HACC102S100V500هو مكثف MOS من 1000 pF ± 10% من الطبقة الواحدة بمعدل 100 فولت DC ، معالجهد المقاوم للكهرباء المعطلة فوق 250 فولت DC (250٪ من الجهد الاسمي)، aمستقر 0 ± 30 ppm/°C كهرباء معطلةأكثر من -55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية، ونظام تحديد المعادن جاهز لكل منربط الأسلاك الذهبيةوأوتيكتيكي.
ما هو مكثف MOS ذو طبقة واحدة؟
أمكثف MOS(معدن أكسيد مكثف نصف موصل) هو مكثف من طبقة واحدة يستخدم ثاني أكسيد السيليكون المزروع حراريًا (SiO)2مع الكهربائيات المعدنية في الجزء العلوي والسفلي. بدون كومة الكهربائيات الداخلية ، يتدفق التيار عموديًا من خلال طبقة كهربائية واحدة ،مع إعطاء حثية سلسلة معادلة جوهرية قريبة من الصفر (ESL)، وتردد ارتفاع الرنين الذاتي (SRF) وسلوك درجة الحرارة المتوقعة مقارنة مع مكثفات السيراميك متعددة الطبقات (MLCCs).
المزايا الرئيسية للأداء
- تحطم الجهد العالي- التوتر المقاوم للكهرباء المعطلة الذي يزيد عن 250 فولت متواصل (250٪ من 100 فولت مستمر) ، يتم اختبار 100٪ من الإنتاج لكل قطعة.
- الاستقرار الكهربائيالـ SiO الحرارية المكافئة لـ COG/NPO من الفئة I2مع معامل درجة حرارة 0 ± 30 ppm/°C من -55°C إلى +125°C، ومعامل تعصب التيار المباشر ضئيل (< 10 ppm/V) ولا يوجد شيخوخة كهربائية حديدية.
- السلك القابلة للاتصال & Eutectic Die Attach جاهزة✓ مجموعة من TiW-Au العليا (≥2.5 μm Au) تدعم ربط الأسلاك الذهبية بقطر 25 μm بقوة سحب > 6 gf.الجهة الخلفية من TiW-Pt-Au مع حاجز الانتشار البلاتيني يمكّن من ربط الـ AuSn (80/20) الموثوق بها.
- تسرب منخفض< 10 nA عند 25°C و < 100 nA عند 125°C عند الجهد الاسمي.
- مستوى ESR منخفضعادة <0.1 Ω عند 1 GHz لتحديد التفاصيل اللاسلكية الراديوية الفعال.
المواصفات الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر)
| المعلم | القيمة | الحالة |
| السعة | 1000 pF ± 10% (± 5% متاحة) | 1 ميغاهرتز، 1.0 Vrms |
| الجهد الاسمي (DC) | 100 فولت | مستمرة |
| الجهد الكهربائي المقاوم للطاقة | > 250 فولت DC (250٪ مقياسية) | 5 ثواني، تم اختبارها بنسبة 100% |
| TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C إلى +125°C |
| عامل التبديد | ≤0.15٪ | 1 كيلو هرتز، 1.0 Vrms |
| تيار التسرب | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | عند الجهد الاسمي |
| مقاومة العزل | ≥ 104 MΩ | عند الجهد الاسمي، 25 درجة مئوية |
| ESR @ 1 GHz | <0.1 Ω | نموذجي |
| الشريحة الداخلية ESL | <0.05 نهي | غير مضمنة |
| تردد الرنين الذاتي | مستوى رقاقة > 1,5 جيغه هيرتز > 600 ميغا هيرتز مع سلك ربط 0.5 مم | نموذجي |
| الامتصاص الكهربائي | < 0.1% | 1 كيلو هرتز |
| أبعاد الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم | ± 25 ميكرومتر |
| المعادن العليا | TiW-Au، ≥2.5 μm Au | أسلاك قابلة للإلتزام |
| التعدين الخلفي | TiW-Pt-Au، ≥1.0 μm Au (حاجز Pt) | AuSn / جاهزة للبوكسيد |
| قوة سحب السلك | > 6 gf للاسلكي Au 25 μm | طريقة MIL-STD-883 2011.7 |
| تصنيف الـ ESD | الفئة 0 (HBM) حسب JESD22-A114 | - |
