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Descomposición de tensión superior 1000 pF 100 V condensador MOS (HACC102S100V500)
Resumen:El HoanEl número de unidades de producción será el siguiente:es un condensador MOS de una sola capa de 1000 pF ± 10% a 100 V de corriente continua, con unauna tensión dieléctrica superior a 250 V de corriente continua (250% de la tensión nominal), unun dieléctrico estable de 0 ± 30 ppm/°Cmás de -55°C a +125°C, y un sistema de metalización preparado para ambosFijación de alambre de oroy- el uso de la ayuda técnica.
¿Qué es un condensador MOS de una sola capa?
A. NoCondensador MOS(Condensador de semiconductores de óxido metálico) es un condensador de una sola capa que utiliza un dióxido de silicio (SiO) cultivado térmicamente2Sin una pila de electrodos interna, la corriente fluye verticalmente a través de una capa dieléctrica,que da una inductancia de serie intrínseca equivalente cercana a cero (ESL), una alta frecuencia de auto-resonancia (SRF) y un comportamiento de temperatura predecible en comparación con los condensadores cerámicos multicapa (MLCC).
Ventajas clave de rendimiento
- Disminución de la tensión superior tensión dieléctrica superior a 250 V de corriente continua (250% del valor nominal de 100 V continuo), 100% de producción probada por pieza.
- Estabilidad dieléctricaSiO térmico equivalente a COG/NPO de clase I2con un coeficiente de temperatura de 0 ± 30 ppm/°C desde -55°C hasta +125°C, un coeficiente de sesgo de CC insignificante (< 10 ppm/V) y sin envejecimiento ferroeléctrico.
- Se puede unir con alambre y se puede fijar con un diésel eútico una pila superior de TiW-Au (≥ 2,5 μm Au) soporta la unión de alambre de oro de 25 μm con una fuerza de tracción > 6 gf;el TiW-Pt-Au de la parte posterior con una barrera de difusión de platino permite una adhesión fiable de AuSn (80/20) eutectic y conductor-epoxi.
- Baja fuga️ < 10 nA a 25 °C y < 100 nA a 125 °C a tensión nominal.
- Baja ESR normalmente < 0,1 Ω a 1 GHz para un bypass de RF eficiente.
Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)
| Parámetro | Valor | Condición |
| Capacidad | Se aplicarán las siguientes medidas: | 1 MHz, 1,0 Vrs |
| Válvulas de carga de la corriente de corriente | Las demás: | Continuidad |
| Válvula de resistencia dieléctrica | > 250 V de corriente continua (250% nominal) | Permanecimiento de 5 s, 100% probado |
| El TCC | 0 ± 30 ppm/°C | -55°C a +125°C |
| Factor de disipación | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrs |
| Corriente de fuga | Se aplicarán las siguientes medidas: | En tensión nominal |
| Resistencia al aislamiento | ≥ 104 MΩ | A tensión nominal, 25 °C |
| ESR @ 1 GHz | < 0,1 Ω | Típico |
| Chip intrínseco ESL | < 0,05 nH | Desincorporado |
| Frecuencia de auto-resonancia | > 1,5 GHz a nivel de chip; > 600 MHz con alambre de unión de 0,5 mm | Típico |
| Absorción dieléctrica | < 0,1% | 1 kHz |
| Dimensiones del chip | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Metalización superior | TiW-Au, ≥ 2,5 μm Au | Los demás productos de acero |
| Metalización en el reverso | TiW-Pt-Au, ≥ 1,0 μm Au (barrera Pt) | AuSn / epoxi listo |
| Fuerza de tracción de la unión de alambre | > 6 gf para el alambre Au de 25 μm | Método MIL-STD-883 de 2011.7 |
| Clasificación de la DSE | Clase 0 (HBM) según el JESD22-A114 | - |
