HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | L/C、D/A、D/P、T/T |
簡単に言うとHGM221S30V220は,高抵抗性浮気ゾーンシリコンと熱的に育ったSiO2介電体で構築された220pF,30V単層MOSコンデンサである.グラデントインペダンスインターフェースは 周囲の回路への移行をスムーズにします そのためコンデンサは超幅帯域で一貫した応答を維持します,また,配列使用のための要素間のサブ度相一致性も保持している.カスタム容量値とインターフェースプロファイルが利用可能である.
| ポイント | 価値 |
| ブランド | ホーン |
| モデル | HGM221S30V220 |
| カテゴリー | MOS コンデンサ |
| 容量 | 220 pF ±5% (要求に応じて±2%) |
| 定数直流電圧 | 30V |
| ダイレクトリック | 熱性SiO2,パラエレクトリック (300nm) |
| インターフェース | グラデントインペダンスマッチング層 (ウエファー定義) |
| 段階一貫性 | 副級,要素から要素へ |
| 使用可能な帯域幅 | DCから40 GHz (典型) |
| 終了 | ワイヤー・ボンドまたはフラップチップ・マイクロ・バンプ |
| チップサイズ | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm |
| 動作温度 | -55 °Cから+125 °C |
| 産地 | シャンシ (中国) |
| 認証 | ISO 9001 規格:2015RoHSについて |
| MOQ | 10個 |
| リード タイム | ストックには5~7日,生産には3~4週間 |
配列層は 介電界面と電極の間にある 晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状晶状プロフィールは,周囲の回路がそれを必要とする場所に移行を配置するために設計に応じて調整することができます.これは,外部マッチング要素を必要とせず,コンポーネントにマッチングを統合します.
ブロードバンドインターフェースに加えて,この部分は要素間のサブグレード相一致性を保持しているため,要素ごとに相トリミングなしで配列チャンネルで使用できます.容量許容量は ±5%標準 (要求に応じて ±2%),C-V特性は0Vから30Vまで線形であり,無形SiO2介電体は老化しないため,相期は温度と時間とともに安定している.
