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| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HGM221S30V220 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | LC, D/A, D/P, T/T |
En resumen:El HGM221S30V220 es un condensador MOS de una sola capa de 220 pF y 30 V construido con silicio de zona flotante de alta resistividad con un dieléctrico SiO2 cultivado térmicamente.Su interfaz de impedancia de gradiente suaviza la transición al circuito circundante para que el condensador mantenga una respuesta constante en un rango de banda ultra ancha, y también mantiene la consistencia de fase de subgrado entre los elementos para uso de la matriz.
| Punto de trabajo | Valor |
| Marca del producto | - ¿ Por qué? |
| Modelo | HGM221S30V220 |
| Categoría | Condensadores MOS |
| Capacidad | 220 pF ± 5% (± 2% a petición) |
| Voltagem nominal de corriente continua | 30 V |
| Dieléctrico | SiO2 térmico, paraeléctrico (300 nm) |
| Interfaz | Capa de coincidencia de impedancia de gradiente (definida por oblea) |
| Consistencia de fase | Subgrado, de elemento a elemento |
| Ancho de banda utilizable | CC a 40 GHz (típico) |
| Terminado | Micro-bump de fijación de alambre o micro-bump de flip-chip |
| Tamaño del chip | 0.50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C a +125 °C |
| Lugar de origen | Shaanxi, China |
| Certificación | Las normas ISO 9001 incluyen:2015, RoHS |
| Cuota de producción | 10 piezas |
| Tiempo de entrega | Entre 5 y 7 días laborables para las existencias, entre 3 y 4 semanas para la producción |
La capa correspondiente se fabrica como parte del proceso de la oblea, entre la interfaz dieléctrica y el electrodo, utilizando una secuencia gradual de capas.el perfil se puede ajustar por diseño para colocar la transición donde el circuito circundante lo necesitaEsto mantiene la coincidencia integrada en el componente en lugar de requerir elementos de coincidencia externos.
Además de su interfaz de banda ancha, la pieza mantiene una consistencia de fase de subgrado entre los elementos, por lo que puede usarse en canales de matriz sin recorte de fase por elemento.La tolerancia de capacidad es de ±5% estándar (±2% a petición), la característica C-V es lineal de 0 V a 30 V, y el dieléctrico amorfo SiO2 no envejece, por lo que el término de fase se mantiene estable a través de la temperatura y el tiempo.
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