HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Marka Adı: | Hoan |
| Model Numarası: | HGM221S30V220 |
| Adedi: | 10 adet |
| Ödeme Koşulları: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Kısaca: HGM221S30V220, yüksek dirençli float-zone silikon üzerine termal olarak büyütülmüş bir SiO2 dielektrik ile üretilmiş 220 pF, 30 V tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Gradyan empedans arayüzü, çevredeki devreye geçişi yumuşatarak kapasitörün ultra geniş bant aralığında tutarlı bir yanıt vermesini sağlar ve ayrıca dizi kullanımı için elemanlar arasında derece altı faz tutarlılığı sağlar. Özel kapasitans değerleri ve arayüz profilleri mevcuttur.
| Öğe | Değer |
| Marka | Hoan |
| Model | HGM221S30V220 |
| Kategori | MOS Kapasitörler |
| Kapasitans | 220 pF ±%5 (±%2 talep üzerine) |
| Anma DC Gerilimi | 30 V |
| Dielektrik | Termal SiO2, paraelektrik (300 nm) |
| Arayüz | Gradyan empedans eşleştirme katmanı (wafer üzerinde tanımlı) |
| Faz Tutarlılığı | Derece altı, elemandan elemana |
| Kullanılabilir Bant Genişliği | DC - 40 GHz (tipik) |
| Sonlandırma | Tel bağlama veya flip-çip mikro-bump |
| Çip Boyutu | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Çalışma Sıcaklığı | -55 °C ila +125 °C |
| Menşe Yeri | Shaanxi, Çin |
| Sertifikasyon | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 adet |
| Teslim Süresi | Stok için 5-7 iş günü, üretim için 3-4 hafta |
Eşleştirme katmanı, dielektrik arayüz ile elektrot arasında, dereceli bir katman dizisi kullanılarak wafer işlemi sırasında üretilir. Litografik olarak tanımlandığı için, geçişin çevredeki devrenin ihtiyaç duyduğu yere yerleştirilmesi için profil tasarıma göre ayarlanabilir. Bu, eşleştirmeyi harici eşleştirme elemanlarına ihtiyaç duymak yerine bileşene entegre eder.
Geniş bant arayüzüne ek olarak, parça elemanlar arasında derece altı faz tutarlılığı sağlar, böylece eleman başına faz ayarlaması olmadan dizi kanallarında kullanılabilir. Kapasitans toleransı standart olarak ±%5'tir (±%2 talep üzerine), C-V karakteristiği 0 V ila 30 V arasında doğrusaldır ve amorf SiO2 dielektrik yaşlanmaz, bu nedenle faz terimi sıcaklık ve zaman boyunca kararlı kalır.
