HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nama Merek: | Hoan |
| Nomor Model: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 buah |
| Ketentuan Pembayaran: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Singkatnya:HGM221S30V220 adalah kapasitor MOS satu lapis 220 pF, 30 V yang dibangun pada silikon zona terapung resistivitas tinggi dengan dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal.Gradient impedansi antarmuka meluruskan transisi ke sirkuit sekitar sehingga kondensator mempertahankan respon yang konsisten di rentang ultra-wideband, dan juga memiliki konsistensi fase sub-gelar antara elemen untuk penggunaan array. Nilai kapasitansi dan profil antarmuka khusus tersedia.
| Artikel | Nilai |
| Merek | Hoan |
| Model | HGM221S30V220 |
| Kategori | Kondensator MOS |
| Kapasitas | 220 pF ± 5% (± 2% atas permintaan) |
| Tegangan DC nominal | 30 V |
| Dielektrik | SiO2 termal, paraelektrik (300 nm) |
| Antarmuka | Lapisan pencocokan impedansi gradien (didefinisikan oleh wafer) |
| Konsistensi Fase | Sub-gelar, elemen ke elemen |
| Bandwidth yang Dapat Digunakan | DC sampai 40 GHz (biasanya) |
| Penghentian | Wire bond atau micro-bump flip-chip |
| Ukuran chip | 00,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Suhu operasi | -55 °C sampai +125 °C |
| Tempat Asal | Shaanxi, Cina |
| Sertifikasi | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 buah |
| Waktu Pelaksanaan | 5-7 hari kerja untuk stok, 3-4 minggu untuk produksi |
Lapisan pencocokan dibuat sebagai bagian dari proses wafer, antara antarmuka dielektrik dan elektroda, menggunakan urutan tingkat lapisan.Profil dapat disesuaikan per desain untuk menempatkan transisi di mana sirkuit sekitarnya membutuhkannyaHal ini membuat pencocokan terintegrasi ke dalam komponen daripada memerlukan elemen pencocokan eksternal.
Selain antarmuka broadbandnya, bagian ini memiliki konsistensi fase sub-gelar antara elemen, sehingga dapat digunakan dalam saluran array tanpa pemangkasan fase per elemen.Toleransi kapasitas adalah ± 5% standar (± 2% atas permintaan), karakteristik C-V linear dari 0 V hingga 30 V, dan dielektrik amorf SiO2 tidak menua, sehingga istilah fase tetap stabil dari suhu dan waktu.
