HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Tên thương hiệu: | Hoan |
| Số mô hình: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 miếng |
| Điều khoản thanh toán: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Nói tóm lại: HGM221S30V220 là tụ điện MOS một lớp 220 pF, 30 V được chế tạo trên silicon float-zone có điện trở suất cao với điện môi SiO2 được xử lý nhiệt. Giao diện trở kháng gradient của nó làm mượt quá trình chuyển đổi sang mạch xung quanh để tụ điện duy trì phản hồi nhất quán trên dải băng tần siêu rộng, và nó cũng giữ tính nhất quán pha dưới một độ giữa các phần tử để sử dụng trong mảng. Có sẵn các giá trị điện dung tùy chỉnh và cấu hình giao diện.
| Mục | Giá trị |
| Thương hiệu | Hoan |
| Mẫu mã | HGM221S30V220 |
| Danh mục | Tụ điện MOS |
| Điện dung | 220 pF ±5% (±2% theo yêu cầu) |
| Điện áp DC định mức | 30 V |
| Điện môi | SiO2 nhiệt, điện môi thuận (300 nm) |
| Giao diện | Lớp phù hợp trở kháng gradient (xác định trên wafer) |
| Tính nhất quán pha | Dưới một độ, từ phần tử này sang phần tử khác |
| Băng thông sử dụng được | DC đến 40 GHz (điển hình) |
| Kết nối | Dây hàn hoặc vi-bump flip-chip |
| Kích thước chip | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 °C đến +125 °C |
| Xuất xứ | Thiểm Tây, Trung Quốc |
| Chứng nhận | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 chiếc |
| Thời gian giao hàng | 5-7 ngày làm việc cho hàng có sẵn, 3-4 tuần cho sản xuất |
Lớp phù hợp được chế tạo như một phần của quy trình wafer, giữa giao diện điện môi và điện cực, sử dụng một chuỗi các lớp được phân cấp. Vì nó được xác định bằng quang khắc, cấu hình có thể được điều chỉnh theo thiết kế để đặt điểm chuyển tiếp ở nơi mạch xung quanh cần. Điều này giữ cho việc phù hợp được tích hợp vào thành phần thay vì yêu cầu các phần tử phù hợp bên ngoài.
Ngoài giao diện băng tần rộng, bộ phận này còn giữ tính nhất quán pha dưới một độ giữa các phần tử, do đó có thể được sử dụng trong các kênh mảng mà không cần điều chỉnh pha từng phần tử. Dung sai điện dung là ±5% tiêu chuẩn (±2% theo yêu cầu), đặc tính C-V tuyến tính từ 0 V đến 30 V và điện môi SiO2 vô định hình không bị lão hóa, do đó số hạng pha vẫn ổn định theo nhiệt độ và thời gian.
