HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약하자면HGM221S30V220는 220 pF, 30 V 단층 MOS 콘덴시터로, 고저항성 플로트존 실리콘과 열적으로 자라는 SiO2 다이렉트릭을 탑재했다.그레디언트 임피던스 인터페이스는 주변 회로로의 전환을 부드럽게 하므로 컨덴시터는 초폭역 범위에서 일관된 반응을 유지합니다., 또한 배열 사용을위한 요소들 사이의 하위도 단계 일관성을 유지합니다. 사용자 정의 용량 값과 인터페이스 프로파일은 사용할 수 있습니다.
| 항목 | 가치 |
| 브랜드 | 호안 |
| 모델 | HGM221S30V220 |
| 카테고리 | MOS 콘덴시터 |
| 용량 | 220pF ±5% (청구에 따라 ±2%) |
| 정류압 등급 | 30V |
| 다이렉트릭 | 열성 SiO2, 준전력 (300nm) |
| 인터페이스 | 그라디언트 임피던스 매칭 레이어 (와이퍼 정의) |
| 단계 일관성 | 부등급, 요소에서 요소로 |
| 사용 가능한 대역폭 | DC ~ 40 GHz (기반) |
| 폐지 | 와이어 본드 또는 플립 칩 마이크로 붐 |
| 칩 크기 | 00.50 x 0.50 x 0.15mm |
| 작동 온도 | -55 °C ~ +125 °C |
| 원산지 | 중국 산시 |
| 인증 | ISO 9001:2015RoHS |
| MOQ | 10개 |
| 선행 시간 | 5~7일, 생산 3~4주 |
맞춤층은 다이렉트릭 인터페이스와 전극 사이에 있는 웨이퍼 프로세스의 일부로 만들어집니다.프로파일은 주변 회로에서 필요한 전환을 배치하기 위해 설계에 따라 조정 할 수 있습니다.이것은 외부 일치 요소가 필요하지 않고 구성 요소에 통합 된 일치를 유지합니다.
광대역 인터페이스 이외에도, 이 부분은 요소들 사이에 하위도 단계 일관성을 유지하므로, 요소별 단계 단축 없이 배열 채널에서 사용될 수 있다.용량 허용값은 ±5% 표준 (청구에 따라 ±2%), C-V 특성은 0V에서 30V까지 선형이며, amorphous SiO2 다이 일렉트릭은 노화되지 않으므로 단계 기간은 온도와 시간에 걸쳐 안정적입니다.
