Градієнтний узгоджувальний імпеданс MOS-конденсатори 220 пФ 30В Чіп для надширокосмугових ВЧ-трактів

HGM221S30V220 Конденсатор MOS с градиентным согласованием импеданса — 220 пФ, 30 В, сверхширокополосный

Кратко: HGM221S30V220 — это однослойный МОП-конденсатор емкостью 220 пФ и напряжением 30 В, изготовленный на кремнии с высокой удельной проводимостью, выращенном методом зонной плавки, с термически выращенным диэлектриком из SiO2. Его интерфейс с градиентным импедансом сглаживает переход к окружающей схеме, поэтому конденсатор сохраняет стабильную характеристику в сверхширокополосном диапазоне, а также обеспечивает фазовую согласованность элементов в пределах субградуса для использования в массивах. Доступны индивидуальные значения емкости и профили интерфейса.

Ключевые факты

Конструкция слоя согласования градиентного импеданса

Слой согласования изготавливается как часть процесса обработки пластины, между интерфейсом диэлектрика и электродом, с использованием градиентной последовательности слоев. Поскольку он определяется литографически, профиль может быть настроен в соответствии с дизайном, чтобы разместить переход там, где он нужен окружающей схеме. Это обеспечивает интеграцию согласования в компонент, а не требует внешних согласующих элементов.

• Литографически определенный градиентный слой
• Профиль настраивается в соответствии с дизайном
• Внешние согласующие элементы не требуются

Субградусная фазовая согласованность для формирования луча

Помимо широкополосного интерфейса, компонент обеспечивает фазовую согласованность элементов в пределах субградуса, поэтому его можно использовать в канальных массивах без подстройки фазы каждого элемента. Допуск по емкости составляет ±5% стандартно (±2% по запросу), характеристика C-V линейна от 0 В до 30 В, а аморфный диэлектрик SiO2 не стареет, поэтому фазовый член остается стабильным при изменении температуры и времени.

• Фазовая согласованность от элемента к элементу в пределах субградусного окна
• Линейная C-V от 0 В до 30 В: стабильная фаза в зависимости от смещения
• Неферроэлектрический SiO2: стабильная фаза в зависимости от температуры и времени

Применение

• Сверхширокополосное ВЧ-связывание и блокировка постоянного тока
• Фазированные решетки и каналы формирования луча, требующие согласованной фазы
• Широкополосные байпасные и развязывающие цепи питания
• Модули фронтенда 5G и 6G
• Приемопередающие тракты спутниковой связи
• Измерительное оборудование, требующее низкого отражения в широкой полосе