Einzelheiten zu den Produkten

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MOS Kondensatoren
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Gradienten-Impedanzanpassungs-MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Chip für Ultra-Wideband-HF-Signalketten

Gradienten-Impedanzanpassungs-MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Chip für Ultra-Wideband-HF-Signalketten

Markenname: Hoan
Modellnummer: HGM221S30V220
Mindestbestellmenge: 10 Stück
Zahlungsbedingungen: L/C, D/A, D/P, T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
Shaanxi, China
Zertifizierung:
ISO 9001:2015, RoHS
Chipgröße:
0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Betriebstemperatur:
-55°C bis +125°C
Feuchtigkeitsempfindlichkeit:
MSL 1 (J-STD-020)
RoHS:
Konform (EU 2015/863)
Nutzbare Bandbreite:
DC bis 40 GHz (typisch)
Anpassung:
Benutzerdefinierte Kapazität 10 pF-1000 pF, Gradientenschnittstellenprofil und Chip-Geometrie
Hervorheben:

MOS-Kondensator

,

der mit der Impedanz des Verlaufs übereinstimmt

,

220 pF 30V MOS-Kondensator

Produkt-Beschreibung

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Kondensator — 220 pF 30V Ultra-Breitband


Kurz gesagt:Der HGM221S30V220 ist ein 220 pF, 30 V einlagiger MOS-Kondensator, der auf hochohmigen Float-Zone-Silizium mit einem thermisch gewachsenen SiO2-Dielektrikum aufgebaut ist. Seine Gradienten-Impedanz-Schnittstelle glättet den Übergang zur umgebenden Schaltung, sodass der Kondensator über einen Ultra-Breitband-Bereich eine konsistente Reaktion beibehält, und er behält auch eine Phasenkonstanz von unter einem Grad zwischen den Elementen für den Einsatz in Arrays bei. Kundenspezifische Kapazitätswerte und Schnittstellenprofile sind verfügbar.


Wichtige Fakten


Artikel Wert
Marke Hoan
Modell HGM221S30V220
Kategorie MOS-Kondensatoren
Kapazität 220 pF ±5% (±2% auf Anfrage)
Nenn-Gleichspannung 30 V
Dielektrikum Thermisch gewachsenes SiO2, paraelektrisch (300 nm)
Schnittstelle Gradienten-Impedanz-Matching-Schicht (Wafer-definiert)
Phasenkonstanz Unter Grad, Element-zu-Element
Nutzbare Bandbreite DC bis 40 GHz (typisch)
Anschluss Drahtbond oder Flip-Chip-Mikro-Bump
Chipgröße 0,50 x 0,50 x 0,15 mm
Betriebstemperatur -55 °C bis +125 °C
Herkunftsort Shaanxi, China
Zertifizierung ISO 9001:2015, RoHS
MOQ 10 Stück
Lieferzeit 5-7 Werktage für Lagerware, 3-4 Wochen für Produktion


Aufbau der Gradienten-Impedanz-Matching-Schicht


Die Matching-Schicht wird als Teil des Wafer-Prozesses zwischen der Dielektrikum-Schnittstelle und der Elektrode unter Verwendung einer abgestuften Sequenz von Schichten hergestellt. Da sie lithografisch definiert ist, kann das Profil pro Design angepasst werden, um den Übergang dort zu platzieren, wo die umgebende Schaltung ihn benötigt. Dies hält das Matching in die Komponente integriert, anstatt externe Matching-Elemente zu erfordern.

  • Lithografisch definierte abgestufte Schicht
  • Profil pro Design abstimmbar
  • Keine externen Matching-Elemente erforderlich


Phasenkonstanz unter Grad für Beamforming

Zusätzlich zu seiner Breitband-Schnittstelle behält das Bauteil eine Phasenkonstanz von unter einem Grad zwischen den Elementen bei, sodass es in Array-Kanälen ohne Phasenabgleich pro Element verwendet werden kann. Die Kapazitätstoleranz beträgt standardmäßig ±5% (±2% auf Anfrage), die C-V-Charakteristik ist von 0 V bis 30 V linear, und das amorphe SiO2-Dielektrikum altert nicht, sodass der Phasenbegriff über Temperatur und Zeit stabil bleibt.

  • Element-zu-Element-Phasenkonstanz in einem Fenster unter einem Grad
  • Lineare C-V von 0 V bis 30 V: stabile Phase vs. Bias
  • Nicht-ferroelektrisches SiO2: stabile Phase vs. Temperatur und Zeit


Anwendungen

  • Ultra-Breitband-HF-Kopplung und DC-Blockierung
  • Phased-Array- und Beamforming-Kanäle, die angepasste Phase erfordern
  • Breitband-Bypass und Spannungsentkopplung
  • 5G- und 6G-Front-End-Module
  • Satellitenkommunikations-Empfangs- und Sendeketten
  • Test- und Messtechnik, die geringe Reflexionen über ein breites Band erfordert


Gradienten-Impedanzanpassungs-MOS-Kondensatoren 220 pF 30V Chip für Ultra-Wideband-HF-Signalketten