| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HGM221S30V220 |
| Mindestbestellmenge: | 10 Stück |
| Zahlungsbedingungen: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Kurz gesagt:Der HGM221S30V220 ist ein 220 pF, 30 V einlagiger MOS-Kondensator, der auf hochohmigen Float-Zone-Silizium mit einem thermisch gewachsenen SiO2-Dielektrikum aufgebaut ist. Seine Gradienten-Impedanz-Schnittstelle glättet den Übergang zur umgebenden Schaltung, sodass der Kondensator über einen Ultra-Breitband-Bereich eine konsistente Reaktion beibehält, und er behält auch eine Phasenkonstanz von unter einem Grad zwischen den Elementen für den Einsatz in Arrays bei. Kundenspezifische Kapazitätswerte und Schnittstellenprofile sind verfügbar.
| Artikel | Wert |
| Marke | Hoan |
| Modell | HGM221S30V220 |
| Kategorie | MOS-Kondensatoren |
| Kapazität | 220 pF ±5% (±2% auf Anfrage) |
| Nenn-Gleichspannung | 30 V |
| Dielektrikum | Thermisch gewachsenes SiO2, paraelektrisch (300 nm) |
| Schnittstelle | Gradienten-Impedanz-Matching-Schicht (Wafer-definiert) |
| Phasenkonstanz | Unter Grad, Element-zu-Element |
| Nutzbare Bandbreite | DC bis 40 GHz (typisch) |
| Anschluss | Drahtbond oder Flip-Chip-Mikro-Bump |
| Chipgröße | 0,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis +125 °C |
| Herkunftsort | Shaanxi, China |
| Zertifizierung | ISO 9001:2015, RoHS |
| MOQ | 10 Stück |
| Lieferzeit | 5-7 Werktage für Lagerware, 3-4 Wochen für Produktion |
Die Matching-Schicht wird als Teil des Wafer-Prozesses zwischen der Dielektrikum-Schnittstelle und der Elektrode unter Verwendung einer abgestuften Sequenz von Schichten hergestellt. Da sie lithografisch definiert ist, kann das Profil pro Design angepasst werden, um den Übergang dort zu platzieren, wo die umgebende Schaltung ihn benötigt. Dies hält das Matching in die Komponente integriert, anstatt externe Matching-Elemente zu erfordern.
Zusätzlich zu seiner Breitband-Schnittstelle behält das Bauteil eine Phasenkonstanz von unter einem Grad zwischen den Elementen bei, sodass es in Array-Kanälen ohne Phasenabgleich pro Element verwendet werden kann. Die Kapazitätstoleranz beträgt standardmäßig ±5% (±2% auf Anfrage), die C-V-Charakteristik ist von 0 V bis 30 V linear, und das amorphe SiO2-Dielektrikum altert nicht, sodass der Phasenbegriff über Temperatur und Zeit stabil bleibt.
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