HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Krótko mówiąc:HGM221S30V220 to kondensator MOS o jednej warstwie o mocy 220 pF i 30 V zbudowany na wysoko odpornym krzemu pływającym z termalnie uprawianym dielektrikiem SiO2.Jego gradient impedancji interfejs płynny przejście do otaczającego obwodu tak kondensator utrzymuje konsekwentną odpowiedź na ultra szerokopasmowy zakres, a także utrzymuje spójność fazy pod stopniem między elementami do użytku w szeregu. Dostępne są niestandardowe wartości pojemności i profile interfejsów.
| Pozycja | Wartość |
| Marka | Hoan |
| Model | HGM221S30V220 |
| Kategoria | Kondensatory MOS |
| Pojemność | 220 pF ±5% (±2% na żądanie) |
| Narysowane napięcie prądu stałego | 30 V |
| Elektryczne | SiO2 termiczny, paraelektryczny (300 nm) |
| Interfejs | Warstwa dopasowywania impedancji gradientu (zdefiniowana przez płytkę) |
| Spójność fazowa | Podpoziom, element do elementu |
| Użyteczna szerokość pasma | Prąd stały do 40 GHz (typowy) |
| Zakończenie | Włókno o łączności lub mikro-przęgło z flip-chip |
| Wielkość chipa | 00,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Temperatura pracy | -55 °C do +125 °C |
| Miejsce pochodzenia | Shaanxi, Chiny |
| Certyfikacja | ISO 9001:2015RoHS |
| MOQ | 10 sztuk |
| Czas realizacji | 5-7 dni roboczych dla zapasów, 3-4 tygodnie dla produkcji |
Warstwa dopasowująca jest wytwarzana jako część procesu płytki, pomiędzy interfejsem dielektrycznym a elektrodą, przy użyciu stopniowej sekwencji warstw.Profil może być regulowany według projektu, aby umieścić przejście tam, gdzie otaczający obwód go potrzebujeDzięki temu dopasowanie jest zintegrowane z komponentem, a nie wymaga zewnętrznych elementów dopasowania.
Oprócz szerokopasmowego interfejsu, część posiada spójność fazy pod stopniem między elementami, dzięki czemu może być używana w kanałach szeregowych bez przycinania fazy na każdy element.Tolerancja pojemności wynosi ±5% standardowo (±2% na żądanie), charakterystyka C-V jest liniowa od 0 V do 30 V, a amorficzny dielektryczny SiO2 nie starzeje się, więc okres fazy pozostaje stabilny w czasie i temperaturze.
