HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HGM221S30V220 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Με λίγα λόγια:Ο HGM221S30V220 είναι ένας μονόστρωτος πυκνωτής MOS 220 pF, 30 V, κατασκευασμένος με πυρίτιο υψηλής αντίστασης σε ζώνη πλεύσης με θερμικά καλλιεργημένο διηλεκτρικό SiO2.Η διασύνδεσή του με την αντίσταση της κλίσης εξομαλύνει τη μετάβαση στο περιβάλλον κύκλωμα έτσι ώστε ο πυκνωτής να διατηρεί μια σταθερή απόκριση σε ένα εύρος υπερυποδέσμης, και διατηρεί επίσης σταθερότητα φάσης υπο-πτυχίου μεταξύ των στοιχείων για χρήση συστοιχίας.
| Άρθρο | Αξία |
| Ετικέτα | Χόαν |
| Σχήμα | HGM221S30V220 |
| Κατηγορία | Συσσωρευτές MOS |
| Δυνατότητα | 220 pF ± 5% (± 2% κατόπιν αιτήματος) |
| Διορισμένη τάση συνεχούς ρεύματος | 30 V |
| Δηλεκτρικό | Θερμικό SiO2, παραηλεκτρικό (300 nm) |
| Διασύνδεση | στρώμα αντιστοίχισης αντίστασης κλίσης (καθορισμένο από πλακίδια) |
| Συνεκτικότητα φάσης | Υπόβαθμος, στοιχείο προς στοιχείο |
| Χρησιμοποιήσιμο εύρος ζώνης | Συνεχή έως 40 GHz (τυπική) |
| Τερματισμός | Μεταλλικό χάλυβα |
| Μέγεθος τσιπ | 00,50 x 0,50 x 0,15 mm |
| Θέρμανση λειτουργίας | -55 °C έως +125 °C |
| Χώρος καταγωγής | Σάνσι, Κίνα |
| Πιστοποίηση | ISO 9001:2015, RoHS |
| Τροποποιημένο | 10 κομμάτια |
| Χρονοδιάγραμμα | 5-7 εργάσιμες ημέρες για το απόθεμα, 3-4 εβδομάδες για την παραγωγή |
Το στρώμα αντιστοίχισης κατασκευάζεται ως μέρος της διαδικασίας πλάκας, μεταξύ της διηλεκτρικής διεπαφής και του ηλεκτρόδου, χρησιμοποιώντας μια βαθμιαία ακολουθία στρωμάτων.το προφίλ μπορεί να ρυθμιστεί ανά σχεδιασμό για να τοποθετηθεί η μετάβαση εκεί όπου το περιβάλλει κύκλωμα το χρειάζεταιΑυτό διατηρεί την εναρμόνιση ενσωματωμένη στο συστατικό αντί να απαιτούνται εξωτερικά στοιχεία εναρμόνισης.
Εκτός από την ευρυζωνική διεπαφή του, το τμήμα διατηρεί σταθερότητα φάσης υπο-πτυχίου μεταξύ των στοιχείων, έτσι ώστε να μπορεί να χρησιμοποιηθεί σε κανάλια συστοιχίας χωρίς διακοπή φάσης ανά στοιχείο.Η ανοχή χωρητικότητας είναι ±5% πρότυπη (±2% κατόπιν αιτήματος), το χαρακτηριστικό C-V είναι γραμμικό από 0 V έως 30 V, και το αμόρφιο διηλεκτρικό SiO2 δεν γερνά, έτσι ώστε ο όρος φάσης να παραμένει σταθερός σε θερμοκρασία και χρόνο.
